品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJH600E-T1-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€333W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:212nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9950pF@30V
连续漏极电流:37A€373A
类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJH800E-T1-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€333W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10230pF@40V
连续漏极电流:29A€299A
类型:N沟道
导通电阻:1.55mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJH112E-T1-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€333W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8050pF@50V
连续漏极电流:23A€225A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJH112E-T1-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€333W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8050pF@50V
连续漏极电流:23A€225A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJH600E-T1-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€333W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:212nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9950pF@30V
连续漏极电流:37A€373A
类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJH112E-T1-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€333W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8050pF@50V
连续漏极电流:23A€225A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJH800E-T1-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€333W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10230pF@40V
连续漏极电流:29A€299A
类型:N沟道
导通电阻:1.55mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJH800E-T1-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€333W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10230pF@40V
连续漏极电流:29A€299A
类型:N沟道
导通电阻:1.55mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJH800E-T1-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€333W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10230pF@40V
连续漏极电流:29A€299A
类型:N沟道
导通电阻:1.55mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJH112E-T1-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€333W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8050pF@50V
连续漏极电流:23A€225A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJH800E-T1-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€333W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10230pF@40V
连续漏极电流:29A€299A
类型:N沟道
导通电阻:1.55mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJH5700E-T1-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€333W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7500pF@75V
连续漏极电流:17A€174A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJH5700E-T1-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€333W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7500pF@75V
连续漏极电流:17A€174A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJH5700E-T1-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€333W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7500pF@75V
连续漏极电流:17A€174A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJH600E-T1-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€333W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:212nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9950pF@30V
连续漏极电流:37A€373A
类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJH600E-T1-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€333W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:212nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9950pF@30V
连续漏极电流:37A€373A
类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJH600E-T1-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€333W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:212nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9950pF@30V
连续漏极电流:37A€373A
类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJH112E-T1-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€333W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8050pF@50V
连续漏极电流:23A€225A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJH800E-T1-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€333W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10230pF@40V
连续漏极电流:29A€299A
类型:N沟道
导通电阻:1.55mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJH112E-T1-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€333W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8050pF@50V
连续漏极电流:23A€225A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJH600E-T1-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€333W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:212nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9950pF@30V
连续漏极电流:37A€373A
类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJH800E-T1-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€333W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10230pF@40V
连续漏极电流:29A€299A
类型:N沟道
导通电阻:1.55mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJH112E-T1-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€333W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8050pF@50V
连续漏极电流:23A€225A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJH112E-T1-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€333W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8050pF@50V
连续漏极电流:23A€225A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJH800E-T1-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€333W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10230pF@40V
连续漏极电流:29A€299A
类型:N沟道
导通电阻:1.55mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJH112E-T1-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€333W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8050pF@50V
连续漏极电流:23A€225A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJH600E-T1-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€333W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:212nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9950pF@30V
连续漏极电流:37A€373A
类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJH800E-T1-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€333W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10230pF@40V
连续漏极电流:29A€299A
类型:N沟道
导通电阻:1.55mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJH600E-T1-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€333W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:212nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9950pF@30V
连续漏极电流:37A€373A
类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJH600E-T1-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€333W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:212nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9950pF@30V
连续漏极电流:37A€373A
类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: