销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4126
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@50V
连续漏极电流:7.5A€43A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4126
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@50V
连续漏极电流:7.5A€43A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD600A70R
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@100V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.5A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD600A70R
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@100V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.5A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4126
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@50V
连续漏极电流:7.5A€43A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB11S65L
工作温度:-55℃~150℃
功率:198W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:646pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:399mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB11S65L
工作温度:-55℃~150℃
功率:198W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:646pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:399mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB11S65L
工作温度:-55℃~150℃
功率:198W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:646pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:399mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB414
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@50V
连续漏极电流:6.6A€51A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB414
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@50V
连续漏极电流:6.6A€51A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4126
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@50V
连续漏极电流:7.5A€43A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4126
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@50V
连续漏极电流:7.5A€43A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD464
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.3W€100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2445pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@20A,10V
漏源电压:105V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD360A70
工作温度:-55℃~150℃
功率:138W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:22.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1360pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@6A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD600A70R
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@100V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.5A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4126
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@50V
连续漏极电流:7.5A€43A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB25S65L
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1278pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@12.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD360A70
工作温度:-55℃~150℃
功率:138W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:22.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1360pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@6A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD600A70R
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@100V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.5A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD360A70
工作温度:-55℃~150℃
功率:138W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:22.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1360pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@6A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4126
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@50V
连续漏极电流:7.5A€43A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD360A70
工作温度:-55℃~150℃
功率:138W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:22.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1360pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@6A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD600A70R
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@100V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.5A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB25S65L
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1278pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@12.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD464
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.3W€100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2445pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@20A,10V
漏源电压:105V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB11S65L
工作温度:-55℃~150℃
功率:198W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:646pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:399mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB11S65L
工作温度:-55℃~150℃
功率:198W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:646pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:399mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB414
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@50V
连续漏极电流:6.6A€51A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4126
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@50V
连续漏极电流:7.5A€43A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: