品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"08+":127500}
规格型号(MPN):NTMSD6N303R2G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@6A,10V
栅极电荷:30nC@10V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
输入电容:950pF@24V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N06T4G
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1015pF@25V
导通电阻:46mΩ@10A,10V
阈值电压:4V@250µA
功率:1.88W€60W
栅极电荷:30nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C55NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW€33W
输入电容:1972pF@15V
类型:N沟道
连续漏极电流:11.9A€78A
阈值电压:2.2V@250µA
导通电阻:3.4mΩ@30A,10V
栅极电荷:30nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT452AP
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:2.8V@250μA
导通电阻:65mΩ@10V,5A
连续漏极电流:5A
工作温度:-65℃~+150℃
功率:3W
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
输入电容:690pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT451AN
输入电容:720pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:35mΩ@7.2A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:7.2A
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
栅极电荷:30nC@10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT451AN
输入电容:720pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:35mΩ@7.2A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:7.2A
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD2955T4G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:750pF@25V
类型:P-Channel
阈值电压:4V@250µA
功率:55W
栅极电荷:30nC@10V
导通电阻:180mΩ@6A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C024NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1972pF@15V
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@30A,10V
功率:2.57W€33W
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:21.7A€78A
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT451AN
输入电容:720pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:35mΩ@7.2A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:7.2A
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
栅极电荷:30nC@10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD7N60TM-WS
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:920pF@25V
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86380-F085
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1440pF@40V
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
导通电阻:13.4mΩ@50A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
功率:75W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86380-F085
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1440pF@40V
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
导通电阻:13.5mΩ@50A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
功率:75W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT451AN
输入电容:720pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:35mΩ@7.2A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:7.2A
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
栅极电荷:30nC@10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS010N10MCLTAG
阈值电压:3V@85µA
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:10.6mΩ@15A,10V
输入电容:2150pF@50V
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
功率:3.2W€77.8W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT451AN
输入电容:720pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:35mΩ@7.2A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:7.2A
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
栅极电荷:30nC@10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMSD6N303R2G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@6A,10V
栅极电荷:30nC@10V
连续漏极电流:6A
输入电容:950pF@24V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD7N60TM
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
输入电容:920pF@25V
阈值电压:5V@250μA
导通电阻:600mΩ@10V,3.5A
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:600V
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB12N50TM
漏源电压:500V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1315pF@25V
导通电阻:650mΩ@6A,10V
功率:165W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SVD2955T4G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
输入电容:750pF@25V
阈值电压:4V@250µA
功率:55W
栅极电荷:30nC@10V
导通电阻:180mΩ@6A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86380-F085
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1440pF@40V
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
导通电阻:13.4mΩ@50A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
功率:75W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT452AP
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:2.8V@250μA
导通电阻:65mΩ@10V,5A
连续漏极电流:5A
工作温度:-65℃~+150℃
功率:3W
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
输入电容:690pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86580-F085
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:4.2V@250µA
导通电阻:19mΩ@50A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:1430pF@30V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
栅极电荷:30nC@10V
功率:75W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT452AP
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:2.8V@250μA
导通电阻:65mΩ@10V,5A
连续漏极电流:5A
工作温度:-65℃~+150℃
功率:3W
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
输入电容:690pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8676
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@14.7A,10V
连续漏极电流:16A€18A
功率:2.3W€41W
栅极电荷:30nC@10V
阈值电压:3V@250µA
输入电容:1935pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SVD2955T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS010N10MCLTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€52W
阈值电压:3V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2150pF@50V
连续漏极电流:10.7A€50A
类型:N沟道
导通电阻:10.6mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N06T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.88W€60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1015pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N06T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.88W€60W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1015pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86380-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1440pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:13.4mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT452AP
工作温度:-65℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:2.8V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个P沟道
导通电阻:65mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: