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    onsemi Mosfet场效应管 NTMSD6N303R2G 起订782个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMSD6N303R2G 起订782个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"08+":127500}

    规格型号(MPN):NTMSD6N303R2G

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@6A,10V

    栅极电荷:30nC@10V

    连续漏极电流:6A

    ECCN:EAR99

    输入电容:950pF@24V

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06T4G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06T4G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20N06T4G

    连续漏极电流:20A

    包装方式:卷带(TR)

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:1015pF@25V

    导通电阻:46mΩ@10A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    功率:1.88W€60W

    栅极电荷:30nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C55NT1G 起订996个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C55NT1G 起订996个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C55NT1G

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW€33W

    输入电容:1972pF@15V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:11.9A€78A

    阈值电压:2.2V@250µA

    导通电阻:3.4mΩ@30A,10V

    栅极电荷:30nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDT452AP 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDT452AP 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT452AP

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    阈值电压:2.8V@250μA

    导通电阻:65mΩ@10V,5A

    连续漏极电流:5A

    工作温度:-65℃~+150℃

    功率:3W

    栅极电荷:30nC@10V

    ECCN:EAR99

    类型:1个P沟道

    输入电容:690pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDT451AN 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDT451AN 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT451AN

    输入电容:720pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:35mΩ@7.2A,10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:7.2A

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:3W

    栅极电荷:30nC@10V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDT451AN 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDT451AN 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT451AN

    输入电容:720pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:35mΩ@7.2A,10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:7.2A

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:3W

    栅极电荷:30nC@10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD2955T4G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD2955T4G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD2955T4G

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:12A

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:750pF@25V

    类型:P-Channel

    阈值电压:4V@250µA

    功率:55W

    栅极电荷:30nC@10V

    导通电阻:180mΩ@6A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C024NT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C024NT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C024NT1G

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1972pF@15V

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@30A,10V

    功率:2.57W€33W

    阈值电压:2.2V@250µA

    连续漏极电流:21.7A€78A

    栅极电荷:30nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDT451AN 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDT451AN 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT451AN

    输入电容:720pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:35mΩ@7.2A,10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:7.2A

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:3W

    栅极电荷:30nC@10V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM-WS 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM-WS 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD7N60TM-WS

    功率:83W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:920pF@25V

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    栅极电荷:30nC@10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86380-F085 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86380-F085 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDWS86380-F085

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@40V

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:50A

    导通电阻:13.4mΩ@50A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    ECCN:EAR99

    功率:75W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86380-F085 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86380-F085 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86380-F085

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@40V

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:50A

    导通电阻:13.5mΩ@50A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    功率:75W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDT451AN 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDT451AN 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT451AN

    输入电容:720pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:35mΩ@7.2A,10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:7.2A

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:3W

    栅极电荷:30nC@10V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS010N10MCLTAG 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS010N10MCLTAG 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS010N10MCLTAG

    阈值电压:3V@85µA

    包装方式:卷带(TR)

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:10.6mΩ@15A,10V

    输入电容:2150pF@50V

    栅极电荷:30nC@10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    功率:3.2W€77.8W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDT451AN 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDT451AN 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT451AN

    输入电容:720pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:35mΩ@7.2A,10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:7.2A

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:3W

    栅极电荷:30nC@10V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMSD6N303R2G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMSD6N303R2G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMSD6N303R2G

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@6A,10V

    栅极电荷:30nC@10V

    连续漏极电流:6A

    输入电容:950pF@24V

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD7N60TM

    功率:83W

    包装方式:卷带(TR)

    类型:1个N沟道

    输入电容:920pF@25V

    阈值电压:5V@250μA

    导通电阻:600mΩ@10V,3.5A

    工作温度:-55℃~+150℃

    漏源电压:600V

    栅极电荷:30nC@10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB12N50TM 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB12N50TM 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):FDB12N50TM

    漏源电压:500V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    栅极电荷:30nC@10V

    输入电容:1315pF@25V

    导通电阻:650mΩ@6A,10V

    功率:165W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SVD2955T4G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 SVD2955T4G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SVD2955T4G

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:12A

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    输入电容:750pF@25V

    阈值电压:4V@250µA

    功率:55W

    栅极电荷:30nC@10V

    导通电阻:180mΩ@6A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86380-F085 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86380-F085 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDWS86380-F085

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@40V

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:50A

    导通电阻:13.4mΩ@50A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    ECCN:EAR99

    功率:75W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDT452AP 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDT452AP 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT452AP

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    阈值电压:2.8V@250μA

    导通电阻:65mΩ@10V,5A

    连续漏极电流:5A

    工作温度:-65℃~+150℃

    功率:3W

    栅极电荷:30nC@10V

    ECCN:EAR99

    类型:1个P沟道

    输入电容:690pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86580-F085 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86580-F085 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86580-F085

    包装方式:卷带(TR)

    阈值电压:4.2V@250µA

    导通电阻:19mΩ@50A,10V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    输入电容:1430pF@30V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:50A

    栅极电荷:30nC@10V

    功率:75W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDT452AP 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDT452AP 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT452AP

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    阈值电压:2.8V@250μA

    导通电阻:65mΩ@10V,5A

    连续漏极电流:5A

    工作温度:-65℃~+150℃

    功率:3W

    栅极电荷:30nC@10V

    ECCN:EAR99

    类型:1个P沟道

    输入电容:690pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8676 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8676 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8676

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9mΩ@14.7A,10V

    连续漏极电流:16A€18A

    功率:2.3W€41W

    栅极电荷:30nC@10V

    阈值电压:3V@250µA

    输入电容:1935pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SVD2955T4G 起订6个装
    onsemi Mosfet场效应管 SVD2955T4G 起订6个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SVD2955T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS010N10MCLTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS010N10MCLTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS010N10MCLTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€52W

    阈值电压:3V@85µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2150pF@50V

    连续漏极电流:10.7A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06T4G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06T4G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20N06T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.88W€60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1015pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06T4G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06T4G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20N06T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.88W€60W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1015pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86380-F085 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86380-F085 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDWS86380-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@40V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 NDT452AP 起订8个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDT452AP 起订8个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT452AP

    工作温度:-65℃~+150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.8V@250μA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:690pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:65mΩ@10V,5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
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