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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR668DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@50V
连续漏极电流：23.2A€95A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR668DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@50V
连续漏极电流：23.2A€95A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@50V
连续漏极电流：23.2A€95A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1600，"21+"：2911，"23+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK768R1-100E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7380pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIDR668DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@50V
连续漏极电流：23.2A€95A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：SIDR668DP-T1-GE3
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导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
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输入电容：5400pF@50V
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类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
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输入电容：5400pF@50V
连续漏极电流：23.2A€95A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
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输入电容：5400pF@50V
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导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK768R1-100E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@25A，10V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BUK768R1-100E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7380pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@25A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIDR668DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@50V
连续漏极电流：23.2A€95A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1600，"21+"：2911，"23+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK768R1-100E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7380pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1600，"21+"：2911，"23+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK768R1-100E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7380pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIDR668DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@50V
连续漏极电流：23.2A€95A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK768R1-100E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK768R1-100E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
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漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK768R1-100E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK768R1-100E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK768R1-100E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
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输入电容：7380pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR668DP-T1-GE3
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：6.25W€125W
输入电容：5400pF@50V
连续漏极电流：23.2A€95A
栅极电荷：108nC@10V
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK768R1-100E，118
包装方式：卷带（TR）
功率：263W
输入电容：7380pF@25V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：8.1mΩ@25A，10V
连续漏极电流：100A
栅极电荷：108nC@10V
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK768R1-100E，118
包装方式：卷带（TR）
功率：263W
输入电容：7380pF@25V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：8.1mΩ@25A，10V
连续漏极电流：100A
栅极电荷：108nC@10V
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK768R1-100E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7380pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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