采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：318pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：318pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2058U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.13W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：281pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A08E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2058U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.13W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：281pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：318pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A08E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2058U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.13W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：281pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2058U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.13W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：281pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A08E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1NK80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：16Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1NK80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：16Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：318pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2058UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：281pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：318pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2058U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.13W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：281pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2058UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：281pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1NK80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：16Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2058UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：281pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：318pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：318pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2058U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.13W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：281pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD1NK80ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：16Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD1NK80ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：16Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2058U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.13W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：281pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2058U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.13W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：281pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXN017-30QLJ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€10.9W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：7.9A€20A
类型：N沟道
导通电阻：17.4mΩ@7.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1NK80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：16Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A08GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1NK80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：16Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
