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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1403BDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1403BDL-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：568mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1403BDL-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：568mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1403BDL-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：568mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8440ASTT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.69W
阈值电压：1.9V@100µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@35V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.6A，10V
漏源电压：59V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8440ASTT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.69W
阈值电压：1.9V@100µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@35V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.6A，10V
漏源电压：59V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8440ASTT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.69W
阈值电压：1.9V@100µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@35V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.6A，10V
漏源电压：59V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSR020P05HZGTL
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@2A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSR020P05HZGTL
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@2A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSR020P05HZGTL
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@2A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1403BDL-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：568mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSR020P05HZGTL
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@2A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2301ACX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@15V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSR020P05HZGTL
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@2A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8440ASTT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.69W
阈值电压：1.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@35V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.6A，10V
漏源电压：59V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSR020P05FRATL
工作温度：150℃
功率：540mW
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@2A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSR020P05FRATL
工作温度：150℃
功率：540mW
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@2A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1403BDL-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：568mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8440ASTT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.69W
阈值电压：1.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@35V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.6A，10V
漏源电压：59V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSR020P05HZGTL
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@2A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1403BDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1403BDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1403BDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSR020P05HZGTL
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@2A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1403BDL-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：568mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1403BDL-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：568mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSR020P05FRATL
工作温度：150℃
功率：540mW
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@2A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8440ASTT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.69W
阈值电压：1.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@35V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@2.6A，10V
漏源电压：59V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSR020P05HZGTL
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@2A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1403BDL-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：568mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
