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    onsemi Mosfet场效应管 FCD600N65S3R0 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD600N65S3R0 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD600N65S3R0

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54W

    阈值电压:4.5V@600µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:465pF@400V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC2512-P 起订1158个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC2512-P 起订1158个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":3000,"22+":5487,"MI+":2406}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC2512-P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:344pF@75V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:425mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R1K2P7ATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R1K2P7ATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN80R1K2P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.8W

    阈值电压:3.5V@80µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@500V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF7640S2TR 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF7640S2TR 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRF7640S2TR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€30W

    阈值电压:5V@25µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@25V

    连续漏极电流:5.8A€21A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@13A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3458BDV-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3458BDV-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3458BDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@30V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G4953S 起订4个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G4953S 起订4个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G4953S

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:36mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL014TRPBF-BE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL014TRPBF-BE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL014TRPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD78CN10NGATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD78CN10NGATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD78CN10NGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:31W

    阈值电压:4V@12µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:716pF@50V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:78mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD2N60A 起订3个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD2N60A 起订3个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD2N60A

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:295pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6004CNDTL 起订7个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6004CNDTL 起订7个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6004CNDTL

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86105 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86105 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86105

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:645pF@50V

    连续漏极电流:6A€26A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC24N10S5L300ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC24N10S5L300ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC24N10S5L300ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:38W

    阈值电压:2.2V@12µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@50V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@12A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL014TRPBF-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL014TRPBF-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL014TRPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STN3N40K3 起订4000个装
    ST Mosfet场效应管 STN3N40K3 起订4000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STN3N40K3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:165pF@50V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@600mA,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF600N65S3R0L-F154 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF600N65S3R0L-F154 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF600N65S3R0L-F154

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:24W

    阈值电压:4.5V@120µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:465pF@400V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD2N60A 起订3个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD2N60A 起订3个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD2N60A

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:295pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R1K2P7ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R1K2P7ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R1K2P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37W

    阈值电压:3.5V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@500V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFL014NTRPBF 起订6个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFL014NTRPBF 起订6个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL014NTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:190pF@25V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3099LQ-13 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3099LQ-13 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3099LQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.08W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:563pF@25V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL014TRPBF-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL014TRPBF-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL014TRPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC24N10S5L300ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC24N10S5L300ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC24N10S5L300ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:38W

    阈值电压:2.2V@12µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@50V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@12A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR014TRLPBF-BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR014TRLPBF-BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR014TRLPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS481ENW-T1_GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS481ENW-T1_GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS481ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:385pF@75V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.095Ω@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3099LQ-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3099LQ-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3099LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.08W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:563pF@25V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 PMN25EN,115 起订4007个装
    NXP Mosfet场效应管 PMN25EN,115 起订4007个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN25EN,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:540mW€6.25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:492pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@6.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN30008NH,LQ 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN30008NH,LQ 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN30008NH,LQ

    工作温度:150℃

    功率:700mW€27W

    阈值电压:4V@100µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@40V

    连续漏极电流:9.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G4953S 起订10个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G4953S 起订10个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G4953S

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:36mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD600N65S3R0 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD600N65S3R0 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD600N65S3R0

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54W

    阈值电压:4.5V@600µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:465pF@400V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40ENEX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40ENEX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN40ENEX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:294pF@15V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN30008NH,LQ 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN30008NH,LQ 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN30008NH,LQ

    工作温度:150℃

    功率:700mW€27W

    阈值电压:4V@100µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@40V

    连续漏极电流:9.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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