采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW1R005PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@22.5V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB24N65EFT1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2774pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4456DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5670pF@20V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK160F10N1L，LQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10100pF@10V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB24N65EFT1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2774pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD80N6F6
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7480pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R0-40YSHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9433pF@20V
连续漏极电流：290A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK160F10N1L，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10100pF@10V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK160F10N1L，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10100pF@10V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R0-40YSHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9433pF@20V
连续漏极电流：290A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK160F10N1L，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10100pF@10V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC005N03LS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€188W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@15V
连续漏极电流：42A€433A
类型：N沟道
导通电阻：0.55mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB24N65EFT1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2774pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4456DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5670pF@20V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW1R005PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@22.5V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB24N65EFT1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2774pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4456DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5670pF@20V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4456DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5670pF@20V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK160F10N1L，LQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10100pF@10V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC005N03LS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€188W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@15V
连续漏极电流：42A€433A
类型：N沟道
导通电阻：0.55mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW1R005PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@22.5V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R0-40YSHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9433pF@20V
连续漏极电流：290A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC005N03LS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€188W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@15V
连续漏极电流：42A€433A
类型：N沟道
导通电阻：0.55mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1662}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC005N03LS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€188W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@15V
连续漏极电流：42A€433A
类型：N沟道
导通电阻：0.55mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC005N03LS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€188W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@15V
连续漏极电流：42A€433A
类型：N沟道
导通电阻：0.55mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD80N6F6
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7480pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC005N03LS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€188W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@15V
连续漏极电流：42A€433A
类型：N沟道
导通电阻：0.55mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1662}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC005N03LS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€188W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@15V
连续漏极电流：42A€433A
类型：N沟道
导通电阻：0.55mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW1R005PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@22.5V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS1D0N04CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.7W€153W
阈值电压：3V@210µA
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7408pF@25V
连续漏极电流：51.3A€291A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
