采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：181，"17+"：42211，"22+"：3000，"23+"：145031}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H400NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€160W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7700pF@20V
连续漏极电流：46A€330A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB020N04NGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@95µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9700pF@20V
连续漏极电流：140A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3G160ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6250pF@20V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：6.2mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB020N04NGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@95µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9700pF@20V
连续漏极电流：140A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H400NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€160W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7700pF@20V
连续漏极电流：46A€330A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3G160ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6250pF@20V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：6.2mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3G160ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6250pF@20V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：6.2mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB020N04NGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@95µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9700pF@20V
连续漏极电流：140A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3G160ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6250pF@20V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：6.2mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3G160ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6250pF@20V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：6.2mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3G160ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6250pF@20V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：6.2mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ147ELP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：183W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5500pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：P沟道
导通电阻：12.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H400NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€160W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7700pF@20V
连续漏极电流：46A€330A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：181，"17+"：42211，"22+"：3000，"23+"：145031}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H400NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€160W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7700pF@20V
连续漏极电流：46A€330A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ147ELP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：183W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5500pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：P沟道
导通电阻：12.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3G160ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6250pF@20V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：6.2mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ147ELP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：183W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5500pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：P沟道
导通电阻：12.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3G160ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6250pF@20V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：6.2mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ412EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5950pF@20V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@10.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3G160ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6250pF@20V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：6.2mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ412EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5950pF@20V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@10.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：181，"17+"：42211，"22+"：3000，"23+"：145031}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H400NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€160W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7700pF@20V
连续漏极电流：46A€330A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ147ELP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：183W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5500pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：P沟道
导通电阻：12.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ147ELP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：183W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5500pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：P沟道
导通电阻：12.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ147ELP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：183W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5500pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：P沟道
导通电阻：12.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3G160ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6250pF@20V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：6.2mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3G160ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6250pF@20V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：6.2mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H400NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€160W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7700pF@20V
连续漏极电流：46A€330A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H400NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€160W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7700pF@20V
连续漏极电流：46A€330A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ147ELP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：183W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5500pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：P沟道
导通电阻：12.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
