品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS6H854NLTAG
连续漏极电流:10A€41A
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:17nC@10V
功率:3.2W€54W
阈值电压:2V@45µA
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:902pF@40V
导通电阻:13.4mΩ@10A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS6H854NLTAG
连续漏极电流:10A€41A
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:17nC@10V
功率:3.2W€54W
阈值电压:2V@45µA
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:902pF@40V
导通电阻:13.4mΩ@10A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS022N15MC
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:17nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.2W€71.4W
输入电容:1315pF@75V
导通电阻:22mΩ@18A,10V
阈值电压:4.5V@100µA
连续漏极电流:7.4A€37.2A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MTD3055V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@25V
功率:3.9W€48W
栅极电荷:17nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:150mΩ@6A,10V
阈值电压:4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"15+":15038}
规格型号(MPN):NTMS5838NLR2G
连续漏极电流:5.8A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
功率:1.5W
栅极电荷:17nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@7A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
输入电容:785pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDM3622
输入电容:1090pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
栅极电荷:17nC@10V
类型:N沟道
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:60mΩ@4.4A,10V
连续漏极电流:4.4A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5C648NLT4G
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:4.1mΩ@45A,10V
栅极电荷:17nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.1V@250µA
连续漏极电流:22A€91A
输入电容:2900pF@30V
功率:4.4W€76W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC653N
导通电阻:35mΩ@10V,5A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
连续漏极电流:5A
栅极电荷:17nC@10V
输入电容:350pF@15V
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2V@250μA
功率:1.6W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD900N60Z
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:900mΩ@2.3A,10V
栅极电荷:17nC@10V
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
功率:52W
漏源电压:600V
输入电容:720pF@25V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS6H854NLTAG
连续漏极电流:10A€41A
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:17nC@10V
功率:3.2W€54W
阈值电压:2V@45µA
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:902pF@40V
导通电阻:13.4mΩ@10A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD11P06TM
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:17nC@10V
功率:2.5W€38W
漏源电压:60V
输入电容:550pF@25V
类型:P沟道
连续漏极电流:9.4A
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:185mΩ@4.7A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"10+":3000,"17+":12000}
规格型号(MPN):ATP201-TL-H
输入电容:985pF@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
栅极电荷:17nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@18A,10V
功率:30W
连续漏极电流:35A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD11P06TM
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:17nC@10V
功率:2.5W€38W
漏源电压:60V
输入电容:550pF@25V
类型:P沟道
连续漏极电流:9.4A
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:185mΩ@4.7A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS022N15MC
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:17nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.2W€71.4W
输入电容:1315pF@75V
导通电阻:22mΩ@18A,10V
阈值电压:4.5V@100µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:7.4A€37.2A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS022N15MC
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
栅极电荷:17nC@10V
漏源电压:150V
功率:80.6W
导通电阻:18.1mΩ@10V,18A
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:4.5V@100μA
输入电容:1.315nF@75V
反向传输电容:6pF@75V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:41.9A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":1678}
规格型号(MPN):FDD26AN06A0-F085
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:26mΩ@36A,10V
栅极电荷:17nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:800pF@25V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:7A€36A
ECCN:EAR99
功率:75W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H854NLWFTAG
连续漏极电流:10A€41A
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:17nC@10V
功率:3.2W€54W
阈值电压:2V@45µA
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:902pF@40V
导通电阻:13.4mΩ@10A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD11P06TM
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:17nC@10V
功率:2.5W€38W
漏源电压:60V
输入电容:550pF@25V
类型:P沟道
连续漏极电流:9.4A
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:185mΩ@4.7A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5C648NLT4G
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:4.1mΩ@45A,10V
栅极电荷:17nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.1V@250µA
连续漏极电流:22A€91A
输入电容:2900pF@30V
功率:4.4W€76W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD11P06TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€38W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@25V
连续漏极电流:9.4A
类型:P沟道
导通电阻:185mΩ@4.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD900N60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD11P06TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€38W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@25V
连续漏极电流:9.4A
类型:P沟道
导通电阻:185mΩ@4.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD11P06TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€38W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@25V
连续漏极电流:9.4A
类型:P沟道
导通电阻:185mΩ@4.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":15038}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS5838NLR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:785pF@20V
连续漏极电流:5.8A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC653N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA86551L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1235pF@30V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD11P06TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€38W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@25V
连续漏极电流:9.4A
类型:P沟道
导通电阻:185mΩ@4.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC653N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD11P06TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€38W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@25V
连续漏极电流:9.4A
类型:P沟道
导通电阻:185mΩ@4.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS6H854NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€54W
阈值电压:2V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:902pF@40V
连续漏极电流:10A€41A
类型:N沟道
导通电阻:13.4mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: