采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD053N06NATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€83W
阈值电压：2.8V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@30V
连续漏极电流：18A€45A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ146EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR474DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€29.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD053N06NATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€83W
阈值电压：2.8V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@30V
连续漏极电流：18A€45A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R125G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
阈值电压：4V@320µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@400V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@6.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ146EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA20EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：22.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ240N12NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：4V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@60V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC039N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2.8V@36µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@30V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR474DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€29.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：7500，"21+"：1315}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9411L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：48.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1210pF@20V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR4105ZTRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：24.5mΩ@18A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：2299，"13+"：2925，"15+"：2599，"19+"：18000，"20+"：9868，"9999"：2373}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP202-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO083N03MSGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：8.3mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ488EP-T2_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：978pF@50V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@7.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4850EY-T1-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R704PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€81W
阈值电压：2.4V@200µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@20V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@46A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU60N04A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1128，"22+"：3000，"23+"：28655，"24+"：3000，"MI+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS015N15MC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€108.7W
阈值电压：4.5V@162µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2120pF@75V
连续漏极电流：9.2A€61A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@29A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB057N06NATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€83W
阈值电压：2.8V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@30V
连续漏极电流：17A€45A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4850EY-T1-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD07N60C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@350µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@25V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ146EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ152EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：114A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC039N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2.8V@36µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@30V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA20EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：22.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD053N06NATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€83W
阈值电压：2.8V@36µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@30V
连续漏极电流：18A€45A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
