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    AOS Mosfet场效应管 AOD482 起订6个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD482 起订6个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD482

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€100W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@50V

    连续漏极电流:5A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC100N10NSFGATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC100N10NSFGATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC100N10NSFGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:4V@110µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@50V

    连续漏极电流:11.4A€90A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ464EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2086pF@30V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@7.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9640STRLPBF 起订800个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9640STRLPBF 起订800个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9640STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR172ADP-T1-GE3 起订9个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR172ADP-T1-GE3 起订9个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR172ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:29.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1515pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA26DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA26DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2247pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7820TRPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7820TRPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7820TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1750pF@100V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:78mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC019N03L5SATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC019N03L5SATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC019N03L5SATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@15V

    连续漏极电流:28A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ464EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2086pF@30V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@7.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3672 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3672 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3672

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€78W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2680pF@50V

    连续漏极电流:7.4A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@7.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3672 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3672 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3672

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€78W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2680pF@50V

    连续漏极电流:7.4A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@7.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC100N10NSFGATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC100N10NSFGATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC100N10NSFGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:4V@110µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@50V

    连续漏极电流:11.4A€90A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ464EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2086pF@30V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@7.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA26DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA26DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2247pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC019N03L5SATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC019N03L5SATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC019N03L5SATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@15V

    连续漏极电流:28A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC100N10NSFGATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC100N10NSFGATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC100N10NSFGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:4V@110µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@50V

    连续漏极电流:11.4A€90A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3910TRPBF 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3910TRPBF 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR3910TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:115mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC007N08LCDC 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC007N08LCDC 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC007N08LCDC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2.5V@130µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3070pF@40V

    连续漏极电流:64A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.8mΩ@22A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA26DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA26DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2247pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0901NSATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0901NSATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0901NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@15V

    连续漏极电流:28A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4168DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1720pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R160P6ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R160P6ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R160P6ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:176W

    阈值电压:4.5V@750µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2080pF@100V

    连续漏极电流:23.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R160P6ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R160P6ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R160P6ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:176W

    阈值电压:4.5V@750µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2080pF@100V

    连续漏极电流:23.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC019N03L5SATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC019N03L5SATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC019N03L5SATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@15V

    连续漏极电流:28A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472ADN-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472ADN-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS472ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1515pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7456DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7572S 起订294个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7572S 起订294个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"MI+":2608}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC7572S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€52W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2705pF@13V

    连续漏极电流:22.5A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.15mΩ@22.5A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD64N4F6AG 起订2500个装
    ST Mosfet场效应管 STD64N4F6AG 起订2500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD64N4F6AG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:60W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2415pF@25V

    连续漏极电流:54A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.2mΩ@27A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL60R180P6AUMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL60R180P6AUMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPL60R180P6AUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:176W

    阈值电压:4.5V@750µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2080pF@100V

    连续漏极电流:22.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD482 起订9个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD482 起订9个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD482

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€100W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@50V

    连续漏极电流:5A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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