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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4401EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.14W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@20V
连续漏极电流：17.3A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4401EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.14W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@20V
连续漏极电流：17.3A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4401EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.14W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@20V
连续漏极电流：17.3A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4401EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.14W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@20V
连续漏极电流：17.3A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4401EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.14W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@20V
连续漏极电流：17.3A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4401EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@20V
连续漏极电流：17.3A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：122497}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC120N04S6N009ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7360pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@60A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40131EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：11.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40131EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：11.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4401EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@20V
连续漏极电流：17.3A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40131EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：11.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4401EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@20V
连续漏极电流：17.3A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4401EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@20V
连续漏极电流：17.3A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4401EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.14W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@20V
连续漏极电流：17.3A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40131EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：11.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40131EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：11.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4401EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@20V
连续漏极电流：17.3A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4401EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.14W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@20V
连续漏极电流：17.3A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4401EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.14W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@20V
连续漏极电流：17.3A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4401EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@20V
连续漏极电流：17.3A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4401EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.14W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@20V
连续漏极电流：17.3A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40131EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：11.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：122497}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC120N04S6N009ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7360pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@60A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40131EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：11.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40131EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：11.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40131EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：11.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4401EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@20V
连续漏极电流：17.3A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40131EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：11.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC120N04S6N009ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.4V@90µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7360pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@60A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC120N04S6N009ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.4V@90µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7360pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@60A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
