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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4401EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.14W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@20V
连续漏极电流：17.3A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM55P06-19L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM55P06-19L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS05DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4930pF@15V
连续漏极电流：29.4A€108A
类型：P沟道
导通电阻：3.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4401EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.14W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@20V
连续漏极电流：17.3A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM55P06-19L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4401EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.14W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@20V
连续漏极电流：17.3A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4401EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.14W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@20V
连续漏极电流：17.3A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4401EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.14W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@20V
连续漏极电流：17.3A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4401EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@20V
连续漏极电流：17.3A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS05DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4930pF@15V
连续漏极电流：29.4A€108A
类型：P沟道
导通电阻：3.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS05DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4930pF@15V
连续漏极电流：29.4A€108A
类型：P沟道
导通电阻：3.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS05DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4930pF@15V
连续漏极电流：29.4A€108A
类型：P沟道
导通电阻：3.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM55P06-19L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40131EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：11.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM55P06-19L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40131EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：11.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS05DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4930pF@15V
连续漏极电流：29.4A€108A
类型：P沟道
导通电阻：3.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS05DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4930pF@15V
连续漏极电流：29.4A€108A
类型：P沟道
导通电阻：3.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4401EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@20V
连续漏极电流：17.3A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM55P06-19L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM55P06-19L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS05DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4930pF@15V
连续漏极电流：29.4A€108A
类型：P沟道
导通电阻：3.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM55P06-19L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM55P06-19L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS05DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4930pF@15V
连续漏极电流：29.4A€108A
类型：P沟道
导通电阻：3.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40131EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：11.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM55P06-19L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4401EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@20V
连续漏极电流：17.3A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4401EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.14W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@20V
连续漏极电流：17.3A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
