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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E110AJTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：11A€24A
类型：N沟道
导通电阻：11.7mΩ@11A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1467DH-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：355000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4863NAT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.27W€36.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@12V
连续漏极电流：9.2A€49A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E110AJTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：11A€24A
类型：N沟道
导通电阻：11.7mΩ@11A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1467DH-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E110AJTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：11A€24A
类型：N沟道
导通电阻：11.7mΩ@11A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1467DH-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5466A1-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€100W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1574pF@25V
连续漏极电流：7.4A€48A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E110AJTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：11A€24A
类型：N沟道
导通电阻：11.7mΩ@11A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E110AJTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：11A€24A
类型：N沟道
导通电阻：11.7mΩ@11A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E110AJTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：11A€24A
类型：N沟道
导通电阻：11.7mΩ@11A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1467DH-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5466A1-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€100W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1574pF@25V
连续漏极电流：7.4A€48A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5866A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：56W€1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.574nF@25V
连续漏极电流：40A€7A
类型：2个N沟道
导通电阻：17mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4464AP-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W€2.4W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.574nF@25V
连续漏极电流：7.3A€33A
类型：1个N沟道
导通电阻：17mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4464AP-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W€2.4W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.574nF@25V
连续漏极电流：7.3A€33A
类型：1个N沟道
导通电阻：17mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E110AJTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：11A€24A
类型：N沟道
导通电阻：11.7mΩ@11A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1467DH-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5466A1_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1574pF@25V
连续漏极电流：7.4A€48A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5866A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：56W€1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.574nF@25V
连续漏极电流：40A€7A
类型：2个N沟道
导通电阻：17mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1467DH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4863NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.27W€36.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@12V
连续漏极电流：9.2A€49A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5466A1_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1574pF@25V
连续漏极电流：7.4A€48A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4464AP-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W€2.4W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.574nF@25V
连续漏极电流：7.3A€33A
类型：1个N沟道
导通电阻：17mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4464AP-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W€2.4W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.574nF@25V
连续漏极电流：7.3A€33A
类型：1个N沟道
导通电阻：17mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5466A1_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1574pF@25V
连续漏极电流：7.4A€48A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5466A1-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€100W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1574pF@25V
连续漏极电流：7.4A€48A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5466A1_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1574pF@25V
连续漏极电流：7.4A€48A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：28813，"08+"：4320，"10+"：65000，"11+"：41442，"16+"：22500，"12+"：2500，"13+"：11350，"15+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4863NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.27W€36.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@12V
连续漏极电流：9.2A€49A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E110AJTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：11A€24A
类型：N沟道
导通电阻：11.7mΩ@11A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
