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    行业应用: 汽车
    包装方式: 卷带(TR)
    栅极电荷: 24nC@10V
    当前匹配商品:1100+
    商品信息
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    onsemi Mosfet场效应管 FCMT250N65S3 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT250N65S3 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT250N65S3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:90W

    阈值电压:4.5V@1.2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1010pF@400V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF830ASTRLPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF830ASTRLPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF830ASTRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@3A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6414A 起订3000个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6414A 起订3000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6414A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€31W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1380pF@15V

    连续漏极电流:13A€30A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6509ENJTL 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6509ENJTL 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6509ENJTL

    工作温度:150℃

    功率:94W

    阈值电压:4V@230µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:585mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9435BDY-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9435BDY-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI9435BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCB260N65S3 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCB260N65S3 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCB260N65S3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:90W

    阈值电压:4.5V@1.2mA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1010pF@400V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:260mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6414AL 起订13个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6414AL 起订13个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6414AL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€31W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1380pF@15V

    连续漏极电流:13A€30A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD33CN10NGATMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD33CN10NGATMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD33CN10NGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:58W

    阈值电压:4V@29µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1570pF@50V

    连续漏极电流:27A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@27A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSD175N10TL 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSD175N10TL 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSD175N10TL

    工作温度:150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@25V

    连续漏极电流:17.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@8.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISZ0804NLSATMA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISZ0804NLSATMA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISZ0804NLSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€60W

    阈值电压:2.3V@28µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@50V

    连续漏极电流:11A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SANKEN Mosfet场效应管 GKI07301 起订2个装
    SANKEN Mosfet场效应管 GKI07301 起订2个装

    品牌:SANKEN

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GKI07301

    工作温度:150℃

    功率:3.1W€46W

    阈值电压:2.5V@350µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1580pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:23.2mΩ@12.4A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G07P04S 起订3个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G07P04S 起订3个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G07P04S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1750pF@20V

    连续漏极电流:7A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ097N04LSGATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ097N04LSGATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ097N04LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€35W

    阈值电压:2V@14µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@20V

    连续漏极电流:12A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF830ASTRLPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF830ASTRLPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF830ASTRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@3A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL60R185C7AUMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL60R185C7AUMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPL60R185C7AUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:77W

    阈值电压:4V@260µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@400V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:185mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ40N10S5N130ATMA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ40N10S5N130ATMA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUZ40N10S5N130ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.8V@27µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1525pF@50V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA530PZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA530PZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA530PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1070pF@15V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@6.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH7R204PL,LQ 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH7R204PL,LQ 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH7R204PL,LQ

    工作温度:175℃

    功率:69W

    阈值电压:2.4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2040pF@20V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.7mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E110BNTR 起订13个装
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E110BNTR 起订13个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF4E110BNTR

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.1mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC093N04LSGATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC093N04LSGATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC093N04LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€35W

    阈值电压:2V@14µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@20V

    连续漏极电流:13A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6050SFG-7 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6050SFG-7 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6050SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1293pF@30V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC5614P 起订3000个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC5614P 起订3000个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5614P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:759pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:105mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD23N06-31L_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD23N06-31L_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD23N06-31L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:37W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:845pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6050SFG-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6050SFG-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6050SFG-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1293pF@30V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9435BDY-T1-E3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9435BDY-T1-E3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI9435BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT110N06D3 起订19个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT110N06D3 起订19个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT110N06D3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1059pF@30V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT110N06D5 起订2个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT110N06D5 起订2个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT110N06D5

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:69W

    阈值电压:1.7V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.3nF@25V

    连续漏极电流:45A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:54pF@25V

    导通电阻:9.5mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P175SNFRATL 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P175SNFRATL 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3P175SNFRATL

    工作温度:150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@25V

    连续漏极电流:17.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@8.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R180C7ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R180C7ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R180C7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@260µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@400V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD33CN10NGATMA1 起订849个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD33CN10NGATMA1 起订849个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2759,"23+":5719,"24+":1322}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD33CN10NGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:58W

    阈值电压:4V@29µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1570pF@50V

    连续漏极电流:27A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@27A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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