采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：2974，"10+"：202，"12+"：199，"13+"：564，"14+"：63445，"16+"：7500，"18+"：39000，"19+"：22914，"21+"：27500，"22+"：3872}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4858NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€54.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1563pF@12V
连续漏极电流：11.2A€73A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC004NE2LS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€188W
阈值电压：2V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：238nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@12.5V
连续漏极电流：40A€479A
类型：N沟道
导通电阻：0.45mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R0-25YLB，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1099pF@12V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：22500，"11+"：517500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4865NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.27W€33.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：827pF@12V
连续漏极电流：8.5A€44A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R8-25MLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2432pF@12.5V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-25YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：1.95V@1mA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4173pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R0-25YLB，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1099pF@12V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC3730UVT-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：700mW
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V€63pF@10V
连续漏极电流：680mA€460mA
类型：N和P沟道互补型
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：3855，"05+"：168260，"06+"：527497，"08+"：7445，"09+"：75000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD70N03RT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1333pF@20V
连续漏极电流：10A€32A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：2600，"10+"：22000，"MI+"：1060}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4860NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.28W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1308pF@12V
连续漏极电流：10.4A€65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC004NE2LS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€188W
阈值电压：2V@10mA
栅极电荷：238nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@12.5V
连续漏极电流：40A€479A
类型：N沟道
导通电阻：0.45mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"9999"：72}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHD108NQ03LT，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1375pF@12V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD03N03LA G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：2V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@15V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@60A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD03N03LA G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：2V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@15V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@60A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR8256TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：63W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1470pF@13V
连续漏极电流：81A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-25YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：172W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：60.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4327pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5000，"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHD97NQ03LT，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1570pF@12V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：355000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4863NAT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.27W€36.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@12V
连续漏极电流：9.2A€49A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC004NE2LS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€188W
阈值电压：2V@10mA
栅极电荷：238nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@12.5V
连续漏极电流：40A€479A
类型：N沟道
导通电阻：0.45mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：1080，"11+"：55889}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4858NAT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€54.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1563pF@12V
连续漏极电流：11.2A€73A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：4408}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDH6N03LAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2390pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD03N03LA G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：2V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@15V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@60A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC004NE2LS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€188W
阈值电压：2V@10mA
栅极电荷：238nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@12.5V
连续漏极电流：40A€479A
类型：N沟道
导通电阻：0.45mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R5-25MLHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3167pF@12V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.81mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：49882，"06+"：72418，"07+"：950}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD65N03RT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€50W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@20V
连续漏极电流：9.5A€32A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN0R9-25YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：238W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：89.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6721pF@12V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.85mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN0R9-25YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：238W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：89.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6721pF@12V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.85mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R7-25YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3415pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R0-25YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：34.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2485pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.09mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R9-25MLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：69W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1524pF@12.5V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：4.15mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
