品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"17+":2480}
规格型号(MPN):SPD50N03S207GBTMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:7.3mΩ@50A,10V
输入电容:2170pF@25V
类型:N沟道
栅极电荷:46.5nC@10V
阈值电压:4V@85µA
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
连续漏极电流:50A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD060N03LGATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:56W
类型:N沟道
栅极电荷:23nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
输入电容:2400pF@15V
阈值电压:2.2V@250µA
导通电阻:6mΩ@30A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB50N10S3L16ATMA1
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4180pF@25V
导通电阻:15.4mΩ@50A,10V
栅极电荷:64nC@10V
类型:N沟道
阈值电压:2.4V@60µA
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
功率:100W
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S4L08ATMA1
功率:46W
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:7.3mΩ@50A,10V
阈值电压:2.2V@17µA
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:2340pF@25V
连续漏极电流:50A
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC110N06NS3GATMA1
功率:2.5W€50W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:4V@23µA
栅极电荷:33nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:50A
导通电阻:11mΩ@50A,10V
输入电容:2700pF@30V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":3637,"23+":28948}
规格型号(MPN):IPD50N12S3L15ATMA1
导通电阻:15mΩ@50A,10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7180pF@25V
类型:N沟道
阈值电压:2.4V@60µA
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
栅极电荷:57nC@10V
漏源电压:120V
功率:100W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB081N06L3GATMA1
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:79W
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:29nC@4.5V
连续漏极电流:50A
输入电容:4900pF@30V
ECCN:EAR99
阈值电压:2.2V@34µA
导通电阻:8.1mΩ@50A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD075N03LGATMA1
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1900pF@15V
类型:N沟道
功率:47W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:7.5mΩ@30A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50P04P4L11ATMA2
导通电阻:10.6mΩ@50A,10V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:59nC@10V
漏源电压:40V
功率:58W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
输入电容:3900pF@25V
阈值电压:2.2V@85µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50P04P413ATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
功率:58W
阈值电压:4V@85µA
输入电容:3670pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
栅极电荷:51nC@10V
导通电阻:12.6mΩ@50A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR3636TRPBF
导通电阻:6.8mΩ@50A,10V
功率:143W
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
阈值电压:2.5V@100µA
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
输入电容:3779pF@50V
栅极电荷:49nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N08S413ATMA1
功率:72W
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:4V@33µA
输入电容:1711pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
导通电阻:13.2mΩ@50A,10V
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC110N06NS3GATMA1
功率:2.5W€50W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:4V@23µA
栅极电荷:33nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:50A
导通电阻:11mΩ@50A,10V
输入电容:2700pF@30V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50P04P4L11ATMA2
导通电阻:10.6mΩ@50A,10V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:59nC@10V
漏源电压:40V
功率:58W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
输入电容:3900pF@25V
阈值电压:2.2V@85µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":19172,"MI+":10374}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N03S2L06ATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:2V@85µA
类型:N沟道
栅极电荷:68nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
连续漏极电流:50A
导通电阻:6.4mΩ@50A,10V
输入电容:1900pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR3636TRPBF
导通电阻:6.8mΩ@50A,10V
功率:143W
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
阈值电压:2.5V@100µA
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
输入电容:3779pF@50V
栅极电荷:49nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR3636TRPBF
导通电阻:6.8mΩ@50A,10V
功率:143W
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
阈值电压:2.5V@100µA
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
输入电容:3779pF@50V
栅极电荷:49nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD075N03LGATMA1
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1900pF@15V
类型:N沟道
功率:47W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:7.5mΩ@30A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N06S409ATMA2
阈值电压:4V@34µA
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:47.1nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
输入电容:3785pF@25V
ECCN:EAR99
导通电阻:9mΩ@50A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N06S2L13ATMA2
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
导通电阻:12.7mΩ@34A,10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
连续漏极电流:50A
漏源电压:55V
阈值电压:2V@80µA
栅极电荷:69nC@10V
ECCN:EAR99
输入电容:1800pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR3636TRPBF
导通电阻:6.8mΩ@50A,10V
功率:143W
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
阈值电压:2.5V@100µA
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
输入电容:3779pF@50V
栅极电荷:49nC@4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD050N03LGATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:N沟道
输入电容:3200pF@15V
功率:68W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
栅极电荷:31nC@10V
阈值电压:2.2V@250µA
导通电阻:5mΩ@30A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":2552,"MI+":1827}
规格型号(MPN):SPD50P03LGBTMA1
栅极电荷:126nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:7mΩ@50A,10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
功率:150W
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
输入电容:6880pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50P04P4L11ATMA2
导通电阻:10.6mΩ@50A,10V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:59nC@10V
漏源电压:40V
功率:58W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
输入电容:3900pF@25V
阈值电压:2.2V@85µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD060N03LGATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:56W
类型:N沟道
栅极电荷:23nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
输入电容:2400pF@15V
阈值电压:2.2V@250µA
导通电阻:6mΩ@30A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N06S4L12ATMA2
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2890pF@25V
栅极电荷:40nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
功率:50W
阈值电压:2.2V@20µA
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50P04P413ATMA2
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
功率:58W
阈值电压:4V@85µA
输入电容:3670pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
栅极电荷:51nC@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:12.6mΩ@50A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD200N15N3GATMA1
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:150V
导通电阻:20mΩ@50A,10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
连续漏极电流:50A
栅极电荷:31nC@10V
阈值电压:4V@90µA
输入电容:1820pF@75V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":17200}
规格型号(MPN):IPD200N15N3GATMA1
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:150V
导通电阻:20mΩ@50A,10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
连续漏极电流:50A
栅极电荷:31nC@10V
阈值电压:4V@90µA
输入电容:1820pF@75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"19+":340,"22+":2415,"23+":107398,"24+":2099,"MI+":16015}
规格型号(MPN):IPD50P03P4L11ATMA2
导通电阻:10.5mΩ@50A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:3770pF@25V
阈值电压:2V@85µA
功率:58W
栅极电荷:55nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: