采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-55SLHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：395nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25773pF@27V
连续漏极电流：330A
类型：N沟道
导通电阻：1.03mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-55SLHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：395nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25773pF@27V
连续漏极电流：330A
类型：N沟道
导通电阻：1.03mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ138EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4715pF@25V
连续漏极电流：330A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ138EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4715pF@25V
连续漏极电流：330A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ138EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4715pF@25V
连续漏极电流：330A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-55SLHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：395nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25773pF@27V
连续漏极电流：330A
类型：N沟道
导通电阻：1.03mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ138EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4715pF@25V
连续漏极电流：330A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ138EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4715pF@25V
连续漏极电流：330A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ138EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4715pF@25V
连续漏极电流：330A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ138EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4715pF@25V
连续漏极电流：330A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-55SLHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：395nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25773pF@27V
连续漏极电流：330A
类型：N沟道
导通电阻：1.03mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-55SLHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：395nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25773pF@27V
连续漏极电流：330A
类型：N沟道
导通电阻：1.03mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ138EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4715pF@25V
连续漏极电流：330A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-55SLHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：395nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25773pF@27V
连续漏极电流：330A
类型：N沟道
导通电阻：1.03mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-55SLHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：395nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25773pF@27V
连续漏极电流：330A
类型：N沟道
导通电阻：1.03mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-55SLHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：395nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25773pF@27V
连续漏极电流：330A
类型：N沟道
导通电阻：1.03mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ138EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4715pF@25V
连续漏极电流：330A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ138EP-T1_GE3
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：81nC@10V
漏源电压：40V
输入电容：4715pF@25V
类型：N沟道
阈值电压：3.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：1.8mΩ@15A，10V
连续漏极电流：330A
功率：312W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-55SLHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：395nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25773pF@27V
连续漏极电流：330A
类型：N沟道
导通电阻：1.03mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ138EP-T1_GE3
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：81nC@10V
漏源电压：40V
输入电容：4715pF@25V
类型：N沟道
阈值电压：3.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：1.8mΩ@15A，10V
连续漏极电流：330A
功率：312W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ138EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4715pF@25V
连续漏极电流：330A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C410NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：66nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8.862nF@25V
连续漏极电流：330A
类型：1个N沟道
反向传输电容：116pF@25V
导通电阻：0.65mΩ@10V，50A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ138EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4715pF@25V
连续漏极电流：330A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ138EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4715pF@25V
连续漏极电流：330A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
