品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ454EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@7.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH6400ENH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€57W
阈值电压:4V@300µA
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@100V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@6.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPLK60R360PFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4.5V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:534pF@400V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@2.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD360N80S3Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
栅极电荷:25.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1143pF@400V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@6,5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3015LSSQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:60.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2748pF@20V
连续漏极电流:13A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R220M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:5.7V@1.6mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.4nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:312pF@800V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:294mΩ@4A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":342,"21+":134821}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7805TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@7A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R220M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:5.7V@1.6mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.4nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:312pF@800V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:294mΩ@4A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD78CN10NGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:31W
阈值电压:4V@12µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:716pF@50V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFR5410TRL
工作温度:-55℃~150℃
功率:66W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:P沟道
导通电阻:205mΩ@7.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R185C7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:77W
阈值电压:4V@260µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@400V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:185mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6670A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2220pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1960pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R280CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:119W
阈值电压:3.5V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:773pF@100V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@4.2A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R220M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:5.7V@1.6mA
栅极电荷:9.4nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:312pF@800V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:294mΩ@4A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P130SPTL1
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@6.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPLK60R360PFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4.5V@140µA
栅极电荷:12.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:534pF@400V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@2.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1960pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2040UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:19nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:834pF@10V
连续漏极电流:13A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@8.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R190C7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:72W
阈值电压:4V@290µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@400V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@5.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R220M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:5.7V@1.6mA
栅极电荷:9.4nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:312pF@800V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:294mΩ@4A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ454EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@7.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD16N50M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@100V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@6.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R280CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:119W
阈值电压:3.5V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:773pF@100V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@4.2A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R360P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:84W
阈值电压:3.5V@280µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@500V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.6A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G13P04S
阈值电压:1.8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:13A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ@10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2103
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7413TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@7.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCM13N03-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:23.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1015pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD18N60M6
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:16.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@100V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: