品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70N10S312ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4355pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:11.1mΩ@70A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ910EL-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2832pF@50V
连续漏极电流:70A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:8.6mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70P04P4L08ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2.2V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5430pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:7.8mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM060N03CP ROG
工作温度:150℃
功率:54W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0403NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.6V@91µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@75V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@35A,10
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD042P03L3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:175nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12400pF@15V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:4.2mΩ@70A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R4-30MLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3264pF@15V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7214-75B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:158W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2612pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@25A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD042P03L3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:175nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12400pF@15V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:4.2mΩ@70A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-25MLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2432pF@12.5V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPH3R206NC,L1XHQ
工作温度:175℃
功率:960mW€132W
阈值电压:2.5V@500µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4180pF@10V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB70N10S3L12ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:2.4V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5550pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:11.8mΩ@70A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC70N08S5N074ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.8V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2080pF@40V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@35A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R4-30MLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3264pF@15V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB70N10S3L12ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:2.4V@83µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5550pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:11.8mΩ@70A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R4-30MLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3264pF@15V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G75P04D5
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:70A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.7mΩ@10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC70N04S54R6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:3.4V@17µA
栅极电荷:24.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1430pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT3030AW7TL
工作温度:175℃
功率:267W
阈值电压:5.6V@13.3mA
栅极电荷:104nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1526pF@500V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@27A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2599,"22+":1454,"23+":1866,"MI+":2919}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70N03S4L04ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3300pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@70A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM060N03CP ROG
工作温度:150℃
功率:54W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:11.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3007SFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2826pF@15V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:6mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD80N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:85W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@50V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70P04P4L08ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2.2V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5430pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:7.8mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3007SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:64.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2826pF@15V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:6mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1978}
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP108-TL-H
工作温度:150℃
功率:60W
ECCN:EAR99
栅极电荷:79.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3850pF@20V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:10.4mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC70N08S5N074ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.8V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2080pF@40V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@35A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R0-30MLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2330pF@15V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:3.15mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC70N04S54R6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:3.4V@17µA
栅极电荷:24.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1430pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70N03S4L04ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.2V@30µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3300pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@70A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: