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    包装方式: 卷带(TR)
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    当前匹配商品:2000+
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    ROHM Mosfet场效应管 RUS100N02TB 起订7个装
    ROHM Mosfet场效应管 RUS100N02TB 起订7个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RUS100N02TB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:24nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87503Q3ET 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87503Q3ET 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87503Q3ET

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15.6W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:2N沟道(双)共源

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87503Q3E 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87503Q3E 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87503Q3E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15.6W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:2N沟道(双)共源

    导通电阻:13.5mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10N30-330H_4GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10N30-330H_4GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD10N30-330H_4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2190pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@14A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E100BNTB 起订18个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E100BNTB 起订18个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E100BNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR120NTRLPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR120NTRLPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR120NTRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:185mΩ@6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K819R,LXHF 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K819R,LXHF 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6K819R,LXHF

    工作温度:175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@100µA

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:25.8mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P100SNTL1 起订2500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P100SNTL1 起订2500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3P100SNTL1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:133mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RF4C050APTR 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RF4C050APTR 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF4C050APTR

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:55nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5500pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RCD100N20TL 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RCD100N20TL 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RCD100N20TL

    工作温度:150℃

    功率:850mW€20W

    阈值电压:5.25V@1mA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:182mΩ@5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RF4C100BCTCR 起订5个装
    ROHM Mosfet场效应管 RF4C100BCTCR 起订5个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF4C100BCTCR

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.2V@1mA

    栅极电荷:23.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1660pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:15.6mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1E100XNTR 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1E100XNTR 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ1E100XNTR

    工作温度:150℃

    功率:550mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:12.7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD13N10LTM 起订3个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD13N10LTM 起订3个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N10LTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€40W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R360PFD7SAUMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R360PFD7SAUMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R360PFD7SAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:43W

    阈值电压:4.5V@140µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:534pF@400V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA905P 起订635个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA905P 起订635个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2900}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA905P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3405pF@6V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E100GNTB 起订8个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E100GNTB 起订8个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E100GNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W€15W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:7.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.7mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87503Q3E 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87503Q3E 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87503Q3E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15.6W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:2N沟道(双)共源

    导通电阻:13.5mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD10NM60N 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STD10NM60N 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD10NM60N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:70W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@50V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL520NSTRLPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL520NSTRLPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL520NSTRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€48W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G100GNTB 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G100GNTB 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3G100GNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:8.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:615pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR120NTRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR120NTRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR120NTRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:185mΩ@6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4822SSDQ-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4822SSDQ-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4822SSDQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.42W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:478.9pF@16V

    连续漏极电流:10A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:21mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA403EJ-T1_GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA403EJ-T1_GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA403EJ-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1880pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF8910TRPBF 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF8910TRPBF 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF8910TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.55V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:13.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4822SSDQ-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4822SSDQ-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4822SSDQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.42W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:478.9pF@16V

    连续漏极电流:10A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:21mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA403EJ-T1_GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA403EJ-T1_GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA403EJ-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1880pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDE-13 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDE-13 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LFDE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1415pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD13N10LTM 起订3个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD13N10LTM 起订3个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N10LTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€40W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10N30-330H_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10N30-330H_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD10N30-330H_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4.4V@250µA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2190pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@14A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    EPC Mosfet场效应管 EPC2014C 起订2个装
    EPC Mosfet场效应管 EPC2014C 起订2个装

    品牌:EPC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EPC2014C

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:2.5V@2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@10A,5V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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