品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P050SNTL1
工作温度:150℃
功率:15W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E240GNTB
工作温度:150℃
功率:3W€27.4W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5L020SNTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G400GNTL
工作温度:150℃
功率:26W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1410pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSQ015N06HZGTR
工作温度:150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@10V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G180MNTB
工作温度:150℃
功率:3W€30W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1293pF@20V
连续漏极电流:18A€80A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P200SNTL1
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ400N10FRATL
工作温度:150℃
功率:1.35W€50W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E170GNTB
工作温度:150℃
功率:3W€23W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@15V
连续漏极电流:17A€40A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@17A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3G100GNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:8.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:615pF@20V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:14.3mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3G100GNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:615pF@20V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:14.3mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPCA8026(TE12L,Q,M
工作温度:150℃
功率:1.6W€45W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4200pF@10V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@23A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RK7002AT116
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):GKI07113
工作温度:150℃
功率:3.1W€77W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4040pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@27.2A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RMW200N03TB
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1780pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHK003N06T146
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK2463T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSD175N10TL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@25V
连续漏极电流:17.5A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@8.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSD050N10TL
工作温度:150℃
功率:15W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P050SNTL1
工作温度:150℃
功率:15W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ601-ZK-E1-AZ
工作温度:150℃
功率:1W€65W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3300pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RSQ045N03HZGTR
工作温度:150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ300N10TL
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK2731T146
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@100mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G300GNTB
工作温度:150℃
功率:3W€35W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@20V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G300GNTB
工作温度:150℃
功率:3W€35W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@20V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSR030N06TL
工作温度:150℃
功率:540mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP030N03T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ550N10TL
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:143nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6150pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:16.8mΩ@27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K131TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:27.6mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: