采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS990DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：12.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：85mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB02N60S5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：5.5V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：20}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MRF9135LR5
功率：25W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G01BATTL1
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@20V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N06CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS990DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：12.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：85mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HP8K22TB
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@15V
连续漏极电流：27A€57A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS990DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：12.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：85mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G01BATTL1
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@20V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：870，"16+"：12500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD02N60S5BTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：5.5V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：870，"16+"：12500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD02N60S5BTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：5.5V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AMPLEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BLP9LA25SZ
功率：25W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G01BATTL1
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@20V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G01BATTL1
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@20V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：1000，"08+"：500，"10+"：1000，"12+"：9000，"14+"：36000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB02N60C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：3.9V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HP8K22TB
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@15V
连续漏极电流：27A€57A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB02N60S5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：5.5V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N06CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N06CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G01BATTL1
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@20V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS990DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：12.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：85mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS990DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：12.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：85mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：1000，"08+"：500，"10+"：1000，"12+"：9000，"14+"：36000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB02N60C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：3.9V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：51750，"13+"：5000，"15+"：129268，"19+"：15000，"MI+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD02N50C3BTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：3.9V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.1A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：870，"16+"：12500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD02N60S5BTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：5.5V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G01BATTL1
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@20V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS990DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：12.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：85mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HP8K22TB
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@15V
连续漏极电流：27A€57A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HP8K22TB
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@15V
连续漏极电流：27A€57A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HP8K22TB
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@15V
连续漏极电流：27A€57A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
