品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM70060EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7628-100A,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUT150N10S5N035ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:3.8V@110µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6110pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB47NQ10T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB47NQ10T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUT150N10S5N035ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:3.8V@110µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6110pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUT150N10S5N035ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:3.8V@110µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6110pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUT150N10S5N035ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:3.8V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6110pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUT150N10S5N035ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:3.8V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6110pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7628-100A,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":708,"23+":19543,"MI+":2610}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUT150N10S5N035ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:3.8V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6110pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":708,"23+":19543,"MI+":2610}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUT150N10S5N035ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:3.8V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6110pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM70060EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUT150N10S5N035ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:3.8V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6110pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":1863,"19+":800,"22+":7200,"MI+":1235}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9628-100A,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4293pF@25V
连续漏极电流:49A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM70060EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7628-100A,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUT150N10S5N035ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:3.8V@110µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6110pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUT150N10S5N035ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:3.8V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6110pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUT150N10S5N035ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:3.8V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6110pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB47NQ10T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB47NQ10T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB47NQ10T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":708,"23+":19543,"MI+":2610}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUT150N10S5N035ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:3.8V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6110pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7628-100A,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB47NQ10T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUT150N10S5N035ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:3.8V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6110pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUT150N10S5N035ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:3.8V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6110pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB47NQ10T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUT150N10S5N035ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:3.8V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6110pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: