品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RW1C026ZPT2CR
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J216FE,LF
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040pF@12V
连续漏极电流:4.8A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3413L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:857pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5A040ZPTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@6V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS2103PTBG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1157pF@6V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3068L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:15.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:708pF@15V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:72mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":56140}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS3113PTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1329pF@16V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301BDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ES6U1T2R
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:2.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@6V
连续漏极电流:1.3A
类型:P沟道
导通电阻:260mΩ@1.3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J216FE,LF
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040pF@12V
连续漏极电流:4.8A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5C020TPTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:4.9nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":354,"22+":14000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS3A18PZTCG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2240pF@15V
连续漏极电流:5.1A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301BDS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ1A070ZPTR
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:58nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7400pF@6V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR020P02HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:4.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3130L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:432pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:77mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS3A18PZTBG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:28nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2240pF@15V
连续漏极电流:5.1A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1508
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301BDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":750,"09+":18000,"10+":30000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS3441BT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@10V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5E015RPTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:3.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@10V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ1A060ZPTR
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@6V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@6A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5E015RPTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:3.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@10V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5C020TPTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:4.9nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3130L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:432pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:77mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3130L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:432pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:77mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":3662,"09+":15000,"10+":55476}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS2103PTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1157pF@6V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3130LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:77mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5C025TPTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RW1E025RPT2CR
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSR025P03HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:98mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: