品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25310Q2T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:4.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:655pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:23.9mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:124.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8952pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCM13N03-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:23.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1015pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25310Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:4.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:655pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:23.9mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25310Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:4.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:655pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:23.9mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:124.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8952pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H015LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:33.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1871pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL8P4LLF6
工作温度:150℃
功率:2.9W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:20.5mΩ@4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:124.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8952pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25310Q2T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:4.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:655pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:23.9mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:124.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8952pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:584pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@5.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25310Q2T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:4.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:655pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:23.9mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25310Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:655pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:23.9mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:584pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@5.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT12H007LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3224pF@60V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@30A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:124.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8952pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCM13N03-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:23.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1015pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25310Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:655pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:23.9mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5485NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@25V
连续漏极电流:5.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:44mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8952pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT12H007LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3224pF@60V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@30A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8952pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT12H007LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3224pF@60V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@30A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25310Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:655pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:23.9mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT12H007LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3224pF@60V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@30A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8952pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8952pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5485NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@25V
连续漏极电流:5.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:44mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5485NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@25V
连续漏极电流:5.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:44mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: