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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS10DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS10DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS10DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL64DN4F7AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：57W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：637pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS10DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISS10DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
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类型：N沟道
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连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
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功率：57W
阈值电压：2.4V@250µA
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栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
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功率：57W
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输入电容：3750pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
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工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
阈值电压：2.4V@250µA
类型：N沟道
输入电容：3750pF@20V
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
连续漏极电流：60A
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~175℃
功率：57W
输入电容：637pF@25V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
阈值电压：4V@250µA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.5mΩ@20A，10V
连续漏极电流：40A
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