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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK25S06N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：855pF@10V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：36.8mΩ@12.5A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK25S06N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：855pF@10V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：36.8mΩ@12.5A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK25S06N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：855pF@10V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：36.8mΩ@12.5A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2750NYTB
工作温度：175℃
功率：57W
阈值电压：4V@630µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@800V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：975mΩ@1.7A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2750NYTB
工作温度：175℃
功率：57W
阈值电压：4V@630µA
栅极电荷：17nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@800V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：975mΩ@1.7A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SCT2750NYTB
工作温度：175℃
功率：57W
阈值电压：4V@630µA
栅极电荷：17nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@800V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：975mΩ@1.7A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK25S06N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：855pF@10V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：36.8mΩ@12.5A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2750NYTB
工作温度：175℃
功率：57W
阈值电压：4V@630µA
栅极电荷：17nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@800V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：975mΩ@1.7A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2750NYTB
工作温度：175℃
功率：57W
阈值电压：4V@630µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@800V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：975mΩ@1.7A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK25S06N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：855pF@10V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：36.8mΩ@12.5A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK25S06N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：855pF@10V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：36.8mΩ@12.5A，4.5V
漏源电压：60V
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库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2750NYTB
工作温度：175℃
功率：57W
阈值电压：4V@630µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@800V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：975mΩ@1.7A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK25S06N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：855pF@10V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：36.8mΩ@12.5A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SCT2750NYTB
工作温度：175℃
功率：57W
阈值电压：4V@630µA
栅极电荷：17nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@800V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：975mΩ@1.7A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK25S06N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：855pF@10V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：36.8mΩ@12.5A，4.5V
漏源电压：60V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2750NYTB
工作温度：175℃
功率：57W
阈值电压：4V@630µA
栅极电荷：17nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@800V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：975mΩ@1.7A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2750NYTB
工作温度：175℃
功率：57W
阈值电压：4V@630µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@800V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：975mΩ@1.7A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2750NYTB
功率：57W
导通电阻：975mΩ@1.7A，18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@800V
栅极电荷：17nC@18V
类型：N沟道
连续漏极电流：5.9A
阈值电压：4V@630µA
漏源电压：1700V
工作温度：175℃
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK25S06N1L，LXHQ
功率：57W
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
阈值电压：2.5V@100µA
漏源电压：60V
工作温度：175℃
连续漏极电流：25A
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：855pF@10V
导通电阻：36.8mΩ@12.5A，4.5V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2750NYTB
工作温度：175℃
功率：57W
阈值电压：4V@630µA
栅极电荷：17nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@800V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：975mΩ@1.7A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2750NYTB
工作温度：175℃
功率：57W
阈值电压：4V@630µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@800V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：975mΩ@1.7A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2750NYTB
工作温度：175℃
功率：57W
阈值电压：4V@630µA
栅极电荷：17nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@800V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：975mΩ@1.7A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2750NYTB
工作温度：175℃
功率：57W
阈值电压：4V@630µA
栅极电荷：17nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@800V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：975mΩ@1.7A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2750NYTB
工作温度：175℃
功率：57W
阈值电压：4V@630µA
栅极电荷：17nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@800V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：975mΩ@1.7A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2750NYTB
工作温度：175℃
功率：57W
阈值电压：4V@630µA
栅极电荷：17nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@800V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：975mΩ@1.7A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2750NYTB
工作温度：175℃
功率：57W
阈值电压：4V@630µA
栅极电荷：17nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@800V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：975mΩ@1.7A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2750NYTB
工作温度：175℃
功率：57W
阈值电压：4V@630µA
栅极电荷：17nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@800V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：975mΩ@1.7A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2750NYTB
工作温度：175℃
功率：57W
阈值电压：4V@630µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@800V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：975mΩ@1.7A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2750NYTB
工作温度：175℃
功率：57W
阈值电压：4V@630µA
栅极电荷：17nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@800V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：975mΩ@1.7A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2750NYTB
工作温度：175℃
功率：57W
阈值电压：4V@630µA
栅极电荷：17nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@800V
连续漏极电流：5.9A
类型：N沟道
导通电阻：975mΩ@1.7A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
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