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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS64DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3420pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4660pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISS27ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4660pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SIRA60DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.94mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISS27ADN-T1-GE3
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功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4660pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIRA60DP-T1-GE3
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功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.94mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：SIRA60DP-T1-GE3
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功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.94mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：SIRA60DP-T1-GE3
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功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.94mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：SIRA60DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.94mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISS27ADN-T1-GE3
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功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4660pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIRA60DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.94mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIRA60DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.94mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISS64DN-T1-GE3
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功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3420pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：SIRA60DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.94mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SISS64DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3420pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIRA60DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.94mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：55nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4660pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA60DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.94mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIRA60DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.94mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4660pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISS27ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4660pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISS27ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：55nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4660pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：55nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4660pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4660pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS64DN-T1-GE3
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功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3420pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS64DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3420pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS64DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3420pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA60DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.94mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA60DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.94mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4660pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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