品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB024N08BL7
工作温度:-55℃~175℃
功率:246W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:178nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13530pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB100N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4369pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB120N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5605pF@25V
连续漏极电流:74A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@74A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0200N100
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:133nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9760pF@50V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86550ET60
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€187W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:154nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8235pF@30V
连续漏极电流:32A€245A
类型:N沟道
导通电阻:1.65mΩ@32A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM90N10-8M2P-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€300W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6290pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@50V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STH200N10WF7-2
工作温度:-55℃~175℃
功率:340W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4430pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD100N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4369pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD80N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:85W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@50V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB120N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5605pF@25V
连续漏极电流:74A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@74A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM90N10-8M2P-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€300W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6290pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD64N4F6AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2415pF@25V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL110N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5117pF@50V
连续漏极电流:107A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB024N08BL7
工作温度:-55℃~175℃
功率:246W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:178nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13530pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD80N6F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7480pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB024N08BL7
工作温度:-55℃~175℃
功率:246W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:178nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13530pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD100N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4369pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM90N10-8M2P-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€300W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6290pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":3200}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB024N08BL7
工作温度:-55℃~175℃
功率:246W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:178nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13530pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL110N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5117pF@50V
连续漏极电流:107A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STH150N10F7-2
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8115pF@50V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@55A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0200N100
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:133nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9760pF@50V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD100N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4369pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@50V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1407
销售单位:个
规格型号(MPN):STH110N10F7-2
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5117pF@50V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@55A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1407
销售单位:个
规格型号(MPN):STH110N10F7-2
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5117pF@50V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@55A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STH240N10F7-6
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11550pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@60A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STH150N10F7-2
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8115pF@50V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@55A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: