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    onsemi Mosfet场效应管 FDB024N08BL7 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB024N08BL7 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB024N08BL7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:246W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:178nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13530pF@40V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@100A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB100N10F7 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STB100N10F7 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB100N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4369pF@50V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB120N10 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB120N10 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB120N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5605pF@25V

    连续漏极电流:74A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@74A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0200N100 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0200N100 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL0200N100

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:429W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:133nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9760pF@50V

    连续漏极电流:300A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86550ET60 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86550ET60 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86550ET60

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W€187W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:154nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8235pF@30V

    连续漏极电流:32A€245A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.65mΩ@32A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90N10-8M2P-E3 起订800个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90N10-8M2P-E3 起订800个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM90N10-8M2P-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€300W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6290pF@50V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD25N10F7 起订6个装
    ST Mosfet场效应管 STD25N10F7 起订6个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD25N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:40W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@50V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STH200N10WF7-2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STH200N10WF7-2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STH200N10WF7-2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:340W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:93nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4430pF@25V

    连续漏极电流:180A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@90A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD100N10F7 起订2500个装
    ST Mosfet场效应管 STD100N10F7 起订2500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD100N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4369pF@50V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD80N10F7 起订2500个装
    ST Mosfet场效应管 STD80N10F7 起订2500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD80N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:85W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@50V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB120N10 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB120N10 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB120N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5605pF@25V

    连续漏极电流:74A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@74A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90N10-8M2P-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90N10-8M2P-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM90N10-8M2P-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€300W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6290pF@50V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD64N4F6AG 起订2500个装
    ST Mosfet场效应管 STD64N4F6AG 起订2500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD64N4F6AG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:60W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2415pF@25V

    连续漏极电流:54A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.2mΩ@27A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL110N10F7 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STL110N10F7 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL110N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5117pF@50V

    连续漏极电流:107A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB024N08BL7 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB024N08BL7 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB024N08BL7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:246W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:178nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13530pF@40V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@100A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD80N6F6 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STD80N6F6 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD80N6F6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7480pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@40A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB024N08BL7 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB024N08BL7 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB024N08BL7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:246W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:178nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13530pF@40V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@100A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD100N10F7 起订2500个装
    ST Mosfet场效应管 STD100N10F7 起订2500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD100N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4369pF@50V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90N10-8M2P-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90N10-8M2P-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM90N10-8M2P-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€300W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6290pF@50V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB024N08BL7 起订147个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB024N08BL7 起订147个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":3200}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB024N08BL7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:246W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:178nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13530pF@40V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@100A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL110N10F7 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STL110N10F7 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL110N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5117pF@50V

    连续漏极电流:107A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STH150N10F7-2 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STH150N10F7-2 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STH150N10F7-2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8115pF@50V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@55A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0200N100 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0200N100 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL0200N100

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:429W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:133nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9760pF@50V

    连续漏极电流:300A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD100N10F7 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STD100N10F7 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD100N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4369pF@50V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD25N10F7 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STD25N10F7 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD25N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:40W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@50V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STH110N10F7-2 起订4个装
    ST Mosfet场效应管 STH110N10F7-2 起订4个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:1407

    销售单位:

    规格型号(MPN):STH110N10F7-2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5117pF@50V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@55A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STH110N10F7-2 起订4个装
    ST Mosfet场效应管 STH110N10F7-2 起订4个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:1407

    销售单位:

    规格型号(MPN):STH110N10F7-2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5117pF@50V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@55A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STH240N10F7-6 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STH240N10F7-6 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STH240N10F7-6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11550pF@25V

    连续漏极电流:180A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@60A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STH150N10F7-2 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STH150N10F7-2 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STH150N10F7-2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8115pF@50V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@55A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL100N8F7 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STL100N8F7 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL100N8F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.8W€120W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:46.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3435pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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