采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H801NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5126pF@40V
连续漏极电流：24A€160A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM50034EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUT165N08S5N029ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：3.8V@108µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6370pF@40V
连续漏极电流：165A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0630N150
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5805pF@75V
连续漏极电流：169A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@80A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50P04-13L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3590pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1247，"22+"：1386}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86210-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5805pF@75V
连续漏极电流：169A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@80A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM50034EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H801NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5126pF@40V
连续漏极电流：24A€160A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50034EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONS62614T
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.5W€142W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3660pF@30V
连续漏极电流：39A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H801NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5126pF@40V
连续漏极电流：24A€160A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1500，"22+"：1900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB100N04S4H2ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7180pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H801NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5126pF@40V
连续漏极电流：24A€160A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50P04-13L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3590pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1247，"22+"：1386}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86210-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5805pF@75V
连续漏极电流：169A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@80A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0630N150
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5805pF@75V
连续漏极电流：169A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@80A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50034EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB100N04S4H2ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7180pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50P04-13L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3590pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50P04-13L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3590pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H801NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5126pF@40V
连续漏极电流：24A€160A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H801NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5126pF@40V
连续漏极电流：24A€160A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB100N04S4H2ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@70µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7180pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB100N04S4H2ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@70µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7180pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50P04-13L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3590pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50P04-13L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3590pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50034EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50P04-13L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3590pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1667，"21+"：1778，"22+"：2000，"23+"：94764，"MI+"：4121}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUT165N08S5N029ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：3.8V@108µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6370pF@40V
连续漏极电流：165A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM50034EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
