品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C426NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€128W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@25V
连续漏极电流:41A€235A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70N10S312ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4355pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:11.1mΩ@70A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C426NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€128W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@25V
连续漏极电流:41A€235A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R5-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4044pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.55mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1730,"21+":1609,"22+":540,"23+":5064,"MI+":1299}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70N12S311ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4355pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:11.1mΩ@70A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":58000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR1205TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@26A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ886EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2922pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15.3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR1205TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@26A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70N12S311ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@83µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4355pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:11.1mΩ@70A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N04S6L014ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3935pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70N12S311ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@83µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4355pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:11.1mΩ@70A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR1205TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@26A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N04S6L014ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3935pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR1205TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@26A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD120N4F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3850pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N04S6L014ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3935pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMJS1D3N04CTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€128W
阈值电压:3.5V@170µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@25V
连续漏极电流:41A€235A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":20750,"23+":56895,"24+":69757}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S51R9ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:3.4V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3770pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R5-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4044pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.55mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C426NAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€128W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@25V
连续漏极电流:41A€235A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":6000,"24+":13500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C426NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€128W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@25V
连续漏极电流:41A€235A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR1205TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@26A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1730,"21+":1609,"22+":540,"23+":5064,"MI+":1299}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70N12S311ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4355pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:11.1mΩ@70A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":6000,"24+":13500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C426NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€128W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@25V
连续漏极电流:41A€235A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70N12S311ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4355pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:11.1mΩ@70A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N04S6L014ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3935pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":58000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR1205TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@26A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ886EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2922pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15.3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R5-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4044pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.55mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD110N12N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:3V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310pF@60V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@75A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存: