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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：979}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€214W
阈值电压：3.8V@146µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8200pF@50V
连续漏极电流：23A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0240N100
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8755pF@50V
连续漏极电流：210A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0240N100
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8755pF@50V
连续漏极电流：210A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€214W
阈值电压：3.8V@146µA
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8200pF@50V
连续漏极电流：23A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€214W
阈值电压：3.8V@146µA
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8200pF@50V
连续漏极电流：23A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：979}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€214W
阈值电压：3.8V@146µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8200pF@50V
连续漏极电流：23A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：979}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€214W
阈值电压：3.8V@146µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8200pF@50V
连续漏极电流：23A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€214W
阈值电压：3.8V@146µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8200pF@50V
连续漏极电流：23A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：323}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0240N100
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8755pF@50V
连续漏极电流：210A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€214W
阈值电压：3.8V@146µA
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8200pF@50V
连续漏极电流：23A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0240N100
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8755pF@50V
连续漏极电流：210A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€214W
阈值电压：3.8V@146µA
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8200pF@50V
连续漏极电流：23A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€214W
阈值电压：3.8V@146µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8200pF@50V
连续漏极电流：23A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€214W
阈值电压：3.8V@146µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8200pF@50V
连续漏极电流：23A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R3-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8161pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0240N100
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8755pF@50V
连续漏极电流：210A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€214W
阈值电压：3.8V@146µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8200pF@50V
连续漏极电流：23A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€214W
阈值电压：3.8V@146µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8200pF@50V
连续漏极电流：23A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0240N100
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8755pF@50V
连续漏极电流：210A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0240N100
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8755pF@50V
连续漏极电流：210A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R3-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8161pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：979}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€214W
阈值电压：3.8V@146µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8200pF@50V
连续漏极电流：23A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€214W
阈值电压：3.8V@146µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8200pF@50V
连续漏极电流：23A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R3-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8161pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0240N100
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8755pF@50V
连续漏极电流：210A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€214W
阈值电压：3.8V@146µA
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8200pF@50V
连续漏极电流：23A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€214W
阈值电压：3.8V@146µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8200pF@50V
连续漏极电流：23A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0240N100
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8755pF@50V
连续漏极电流：210A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€214W
阈值电压：3.8V@146µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8200pF@50V
连续漏极电流：23A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€214W
阈值电压：3.8V@146µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8200pF@50V
连续漏极电流：23A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
