采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD042P03L3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12400pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@70A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD042P03L3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12400pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@70A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB004N10G
工作温度：-55℃~175℃
功率：340W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11900pF@50V
连续漏极电流：201A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD042P03L3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12400pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@70A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB004N10G
工作温度：-55℃~175℃
功率：340W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11900pF@50V
连续漏极电流：201A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD042P03L3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12400pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@70A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB004N10G
工作温度：-55℃~175℃
功率：340W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11900pF@50V
连续漏极电流：201A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB004N10G
工作温度：-55℃~175℃
功率：340W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11900pF@50V
连续漏极电流：201A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB004N10G
工作温度：-55℃~175℃
功率：340W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11900pF@50V
连续漏极电流：201A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB004N10G
工作温度：-55℃~175℃
功率：340W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11900pF@50V
连续漏极电流：201A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD042P03L3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@270µA
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12400pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@70A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD042P03L3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12400pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@70A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB004N10G
工作温度：-55℃~175℃
功率：340W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11900pF@50V
连续漏极电流：201A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB004N10G
工作温度：-55℃~175℃
功率：340W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11900pF@50V
连续漏极电流：201A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB004N10G
工作温度：-55℃~175℃
功率：340W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11900pF@50V
连续漏极电流：201A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD042P03L3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@270µA
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12400pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@70A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB004N10G
工作温度：-55℃~175℃
功率：340W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11900pF@50V
连续漏极电流：201A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD042P03L3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12400pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@70A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD042P03L3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12400pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@70A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD042P03L3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12400pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@70A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD042P03L3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@270µA
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12400pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@70A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD042P03L3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@270µA
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12400pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@70A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB004N10G
工作温度：-55℃~175℃
功率：340W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11900pF@50V
连续漏极电流：201A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD042P03L3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12400pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@70A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD042P03L3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12400pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@70A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD042P03L3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12400pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@70A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB004N10G
工作温度：-55℃~175℃
功率：340W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11900pF@50V
连续漏极电流：201A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD042P03L3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@270µA
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12400pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@70A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD042P03L3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12400pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@70A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：402，"13+"：452，"17+"：234}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK762R0-40C，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11323pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
