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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3418AEEV-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN5R4-25YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：47W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：858pF@12V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：5.69mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN5R4-25YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：47W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：858pF@12V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：5.69mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ3418AEEV-T1_BE3
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功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12.4nC@10V
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输入电容：675pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12.4nC@10V
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连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
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功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12.4nC@10V
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输入电容：675pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：PSMN5R4-25YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：47W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：858pF@12V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：5.69mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
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连续漏极电流：8A
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规格型号(MPN)：SQ3418AEEV-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PSMN5R4-25YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：47W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：858pF@12V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：5.69mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
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功率：47W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：858pF@12V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：5.69mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
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功率：47W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：858pF@12V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：5.69mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
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规格型号(MPN)：SQ3418AEEV-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
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