采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ454EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@7.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPF042N10NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：3.8V@93µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@50V
连续漏极电流：21A€139A
类型：N沟道
导通电阻：4.25mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPF042N10NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：3.8V@93µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@50V
连续漏极电流：21A€139A
类型：N沟道
导通电阻：4.25mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA62EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ431AEP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：305mΩ@3.8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6_T4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ454EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@7.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ431AEP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：305mΩ@3.8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD70N10F4
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5800pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC014N04LSTATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€115W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6020pF@20V
连续漏极电流：33A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ431AEP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：305mΩ@3.8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H800NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：4V@330µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5530pF@40V
连续漏极电流：28A€203A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H800NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：4V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5530pF@40V
连续漏极电流：28A€203A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ454EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@7.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA62EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ431AEP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：305mΩ@3.8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB160N75F3
工作温度：-55℃~175℃
功率：330W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6750pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@60A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPF042N10NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：3.8V@93µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@50V
连续漏极电流：21A€139A
类型：N沟道
导通电阻：4.25mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPF042N10NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：3.8V@93µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@50V
连续漏极电流：21A€139A
类型：N沟道
导通电阻：4.25mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6_T4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H800NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：4V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5530pF@40V
连续漏极电流：28A€203A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H003SPSW-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W€167W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5542pF@50V
连续漏极电流：166A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H003SPSW-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W€167W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5542pF@50V
连续漏极电流：166A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC014N04LSTATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€115W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6020pF@20V
连续漏极电流：33A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6_T4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA62EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6_T4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ454EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@7.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6_T4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
