采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1407STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@78A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40014EM_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15525pF@25V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB011N04NGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20000pF@20V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：563，"23+"：593}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB180P04P403ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@410µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17640pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：P沟道
导通电阻：2.8mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1651
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS4310TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7670pF@50V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1407STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@78A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS4310TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7670pF@50V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB180P04P403ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@410µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17640pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：P沟道
导通电阻：2.8mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB180P04P403ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@410µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17640pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：P沟道
导通电阻：2.8mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB180P04P403ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@410µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17640pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：P沟道
导通电阻：2.8mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1651
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS4310TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7670pF@50V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS4310TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7670pF@50V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS4310TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7670pF@50V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1407STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@78A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1407STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@78A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：15000，"23+"：10000，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB180P04P403ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@410µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17640pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：P沟道
导通电阻：2.8mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：15000，"23+"：10000，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB180P04P403ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@410µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17640pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：P沟道
导通电阻：2.8mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1407STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@78A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1407STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@78A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS4310TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7670pF@50V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB180P04P403ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@410µA
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17640pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：P沟道
导通电阻：2.8mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB180P04P403ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@410µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17640pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：P沟道
导通电阻：2.8mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB180P04P403ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@410µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17640pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：P沟道
导通电阻：2.8mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2502}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVATS5A304PLZT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：108W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13000pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB180P04P403ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@410µA
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17640pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：P沟道
导通电阻：2.8mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS4310TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7670pF@50V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB180P04P403ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@410µA
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17640pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：P沟道
导通电阻：2.8mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2502}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVATS5A304PLZT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：108W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13000pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB011N04NGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20000pF@20V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVATS5A304PLZT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：108W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13000pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
