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    行业应用: 汽车
    包装方式: 卷带(TR)
    工作温度: -55℃~175℃
    栅极电荷: 70nC@10V
    当前匹配商品:200+
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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70P04P409ATMA2 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70P04P409ATMA2 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD70P04P409ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4810pF@25V

    连续漏极电流:73A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.9mΩ@70A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N10-8M9L_GE3 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N10-8M9L_GE3 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2950pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C430NLWFAFT1G 起订297个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C430NLWFAFT1G 起订297个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":39000,"23+":60000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C430NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€110W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@20V

    连续漏极电流:38A€200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N10-8M9L_GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N10-8M9L_GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2950pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70P04P409ATMA2 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70P04P409ATMA2 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD70P04P409ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4810pF@25V

    连续漏极电流:73A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.9mΩ@70A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C430NLAFT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C430NLAFT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C430NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€110W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@20V

    连续漏极电流:38A€200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N08S406ATMA1 起订339个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N08S406ATMA1 起订339个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":2000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80N08S406ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4800pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMJS1D5N04CLTWG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMJS1D5N04CLTWG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMJS1D5N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€110W

    阈值电压:2V@130µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@20V

    连续漏极电流:38A€200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70P04P409ATMA2 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70P04P409ATMA2 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":4517,"MI+":2245}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD70P04P409ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4810pF@25V

    连续漏极电流:73A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.9mΩ@70A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C430NLAFT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C430NLAFT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C430NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€110W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@20V

    连续漏极电流:38A€200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR104AEP-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR104AEP-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR104AEP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6.5W€120W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3250pF@50V

    连续漏极电流:21.1A€90.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR104AEP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR104AEP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR104AEP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6.5W€120W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3250pF@50V

    连续漏极电流:21.1A€90.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR104AEP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR104AEP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR104AEP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6.5W€120W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3250pF@50V

    连续漏极电流:21.1A€90.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C430NLT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C430NLT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C430NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€110W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@20V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N10-8M9L_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N10-8M9L_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2950pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N08S406ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N08S406ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":2000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80N08S406ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4800pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD95N4LF3 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STD95N4LF3 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD95N4LF3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70P04P409ATMA2 起订7500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70P04P409ATMA2 起订7500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD70P04P409ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4810pF@25V

    连续漏极电流:73A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.9mΩ@70A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C430NLT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C430NLT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C430NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€110W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@20V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70P04P409ATMA2 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70P04P409ATMA2 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD70P04P409ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4810pF@25V

    连续漏极电流:73A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.9mΩ@70A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N10-8M9L_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N10-8M9L_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2950pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70P04P409ATMA2 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70P04P409ATMA2 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD70P04P409ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4810pF@25V

    连续漏极电流:73A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.9mΩ@70A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N10-8M9L_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N10-8M9L_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2950pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR104AEP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR104AEP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR104AEP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6.5W€120W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3250pF@50V

    连续漏极电流:21.1A€90.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD95N4LF3 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STD95N4LF3 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD95N4LF3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C430NLWFAFT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C430NLWFAFT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":39000,"23+":60000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C430NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€110W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@20V

    连续漏极电流:38A€200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50N06-09L-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50N06-09L-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD50N06-09L-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2650pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMJS1D5N04CLTWG 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMJS1D5N04CLTWG 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMJS1D5N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€110W

    阈值电压:2V@130µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@20V

    连续漏极电流:38A€200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N10-8M9L_GE3 起订4000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N10-8M9L_GE3 起订4000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2950pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40N10-25_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40N10-25_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40N10-25_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3380pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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