品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70P04P409ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4810pF@25V
连续漏极电流:73A
类型:P沟道
导通电阻:8.9mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":39000,"23+":60000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C430NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€110W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@20V
连续漏极电流:38A€200A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70P04P409ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4810pF@25V
连续漏极电流:73A
类型:P沟道
导通电阻:8.9mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C430NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€110W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@20V
连续漏极电流:38A€200A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N08S406ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4800pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMJS1D5N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€110W
阈值电压:2V@130µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@20V
连续漏极电流:38A€200A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":4517,"MI+":2245}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70P04P409ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4810pF@25V
连续漏极电流:73A
类型:P沟道
导通电阻:8.9mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C430NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€110W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@20V
连续漏极电流:38A€200A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR104AEP-T1-RE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6.5W€120W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@50V
连续漏极电流:21.1A€90.5A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR104AEP-T1-RE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6.5W€120W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@50V
连续漏极电流:21.1A€90.5A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR104AEP-T1-RE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6.5W€120W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@50V
连续漏极电流:21.1A€90.5A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C430NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€110W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@20V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N08S406ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4800pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD95N4LF3
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70P04P409ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4810pF@25V
连续漏极电流:73A
类型:P沟道
导通电阻:8.9mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C430NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€110W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@20V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70P04P409ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4810pF@25V
连续漏极电流:73A
类型:P沟道
导通电阻:8.9mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70P04P409ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4810pF@25V
连续漏极电流:73A
类型:P沟道
导通电阻:8.9mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR104AEP-T1-RE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6.5W€120W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@50V
连续漏极电流:21.1A€90.5A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD95N4LF3
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":39000,"23+":60000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C430NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€110W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@20V
连续漏极电流:38A€200A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50N06-09L-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2650pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMJS1D5N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€110W
阈值电压:2V@130µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@20V
连续漏极电流:38A€200A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40N10-25_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3380pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: