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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL80HS120
工作温度：-55℃~175℃
功率：11.5W
阈值电压：2V@10µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@7.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL80HS120
工作温度：-55℃~175℃
功率：11.5W
阈值电压：2V@10µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@7.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2AR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€10W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2AR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€10W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2AR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€10W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2AR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€10W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2AR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€10W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2AR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€10W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL80HS120
工作温度：-55℃~175℃
功率：11.5W
阈值电压：2V@10µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@7.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C466NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2AR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€10W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL80HS120
工作温度：-55℃~175℃
功率：11.5W
阈值电压：2V@10µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@7.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C466NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL80HS120
工作温度：-55℃~175℃
功率：11.5W
阈值电压：2V@10µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@7.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL80HS120
工作温度：-55℃~175℃
功率：11.5W
阈值电压：2V@10µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@7.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL80HS120
工作温度：-55℃~175℃
功率：11.5W
阈值电压：2V@10µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@7.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C466NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2AR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€10W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2AR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€10W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2AR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€10W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2AR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€10W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL80HS120
工作温度：-55℃~175℃
功率：11.5W
阈值电压：2V@10µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@7.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2AR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€10W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2AR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€10W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2AR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€10W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C466NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C466NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C466NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C466NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL80HS120
工作温度：-55℃~175℃
功率：11.5W
阈值电压：2V@10µA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@7.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
