品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70101EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7000pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:10.1mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70101EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7000pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:10.1mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB160N04S4LH1ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:2.2V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14950pF@25V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70101EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7000pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:10.1mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70101EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7000pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:10.1mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70101EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7000pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:10.1mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70101EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7000pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:10.1mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70101EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7000pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:10.1mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70101EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7000pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:10.1mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":308,"21+":2953}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB160N04S4LH1ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:2.2V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14950pF@25V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB160N04S4LH1ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:2.2V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14950pF@25V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70101EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7000pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:10.1mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70101EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7000pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:10.1mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70101EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7000pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:10.1mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70101EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7000pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:10.1mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":1451,"16+":8750,"18+":955}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N06S2LH5ATMA4
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5000pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@80A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70101EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7000pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:10.1mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70101EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7000pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:10.1mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM120N10-3M8_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7230pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB160N04S4LH1ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:2.2V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14950pF@25V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB160N04S4LH1ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:2.2V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14950pF@25V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70101EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7000pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:10.1mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM120N10-3M8_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7230pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":1451,"16+":8750,"18+":955}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N06S2LH5ATMA4
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5000pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@80A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM120P10_10M1LGE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9000pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:10.1mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70101EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7000pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:10.1mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB160N04S4LH1ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:2.2V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14950pF@25V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB160N04S4LH1ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:2.2V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14950pF@25V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM120P10_10M1LGE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9000pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:10.1mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMNR56-25YLEX
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:2.2V@2mA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12137pF@12V
连续漏极电流:320A
类型:N沟道
导通电阻:0.63mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: