品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H848NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€73W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@40V
连续漏极电流:13A€57A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD10950E_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:785pF@25V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:162mΩ@12A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD10950E_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:785pF@25V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:162mΩ@12A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2706}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS5D3N04CTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€50W
阈值电压:3.5V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:19A€71A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD80460E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:65.2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@50V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:44.7mΩ@8.3A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD80460E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:65.2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@50V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:44.7mΩ@8.3A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H848NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€73W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@40V
连续漏极电流:13A€57A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M11-40HX
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:3.6V@1mA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1022pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMYS5D3N04CTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€50W
阈值电压:3.5V@40µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:19A€71A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS5D3N04CTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€50W
阈值电压:3.5V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:19A€71A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS005N04CTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€50W
阈值电压:3.5V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:17A€69A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD8NF25
工作温度:-55℃~175℃
功率:72W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@8A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C466NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€37W
阈值电压:2.2V@30µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@25V
连续漏极电流:16A€52A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS005N04CTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€50W
阈值电压:3.5V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:17A€69A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD04P10PLGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:2V@380µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:372pF@25V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:850mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD04P10PLGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:2V@380µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:372pF@25V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:850mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD04P10PLGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:2V@380µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:372pF@25V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:850mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU15N10A-TP
工作温度:-55℃~175℃
功率:34W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN7R0-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1057pF@15V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:7.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS005N04CTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€50W
阈值电压:3.5V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:17A€69A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD10950E_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:785pF@25V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:162mΩ@12A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN7R0-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1057pF@15V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:7.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C466NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€37W
阈值电压:2.2V@30µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@25V
连续漏极电流:16A€52A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H848NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€73W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@40V
连续漏极电流:13A€57A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTYS025P04M8LTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€44.1W
阈值电压:3V@255µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:9.4A€32A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC058N04NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€42W
阈值电压:3.4V@13µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@20V
连续漏极电流:17A€63A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@31A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD10950E_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:785pF@25V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:162mΩ@12A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD10950E_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:785pF@25V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:162mΩ@12A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS005N04CTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€50W
阈值电压:3.5V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:17A€69A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC058N04NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€42W
阈值电压:3.4V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@20V
连续漏极电流:17A€63A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@31A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: