采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK764R0-40E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：182W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4405pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R3-40MLHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：101W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3794pF@20V
连续漏极电流：118A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB055N08NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：3.8V@55µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@40V
连续漏极电流：94A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD409
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€60W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86369
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7S2R5-40HJ
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3793pF@25V
连续漏极电流：140A
类型：N沟道
导通电阻：2.51mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86369
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86369
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD409
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€60W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86369
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB055N08NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：3.8V@55µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@40V
连续漏极电流：94A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86369
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86369
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB055N08NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：3.8V@55µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@40V
连续漏极电流：94A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD95N4F3
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN016-100YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：117W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2744pF@50V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：16.3mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86369-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7S2R5-40HJ
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3793pF@25V
连续漏极电流：140A
类型：N沟道
导通电阻：2.51mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7S2R5-40HJ
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3793pF@25V
连续漏极电流：140A
类型：N沟道
导通电阻：2.51mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86369-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7S2R5-40HJ
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3793pF@25V
连续漏极电流：140A
类型：N沟道
导通电阻：2.51mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86369-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN016-100YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：117W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2744pF@50V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：16.3mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK764R0-40E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：182W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4405pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2365，"22+"：10}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86369-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86369-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86369
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86369
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD409
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€60W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD409
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€60W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
