采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD50P04-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€75W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2767pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD50P04-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€75W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2767pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：5000，"21+"：2824，"23+"：6869}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：5000，"21+"：2824，"23+"：6869}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：5000，"21+"：2824，"23+"：6869}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD50P04-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€75W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2767pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD50P04-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€75W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2767pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD50P04-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€75W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2767pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD50P04-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€75W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2767pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD50P04-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€75W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2767pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
