采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ100E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14780pF@25V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUT200N08S5N023ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：3.8V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7670pF@40V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40014EM_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15525pF@25V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ402E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13500pF@20V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ402E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13500pF@20V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R0-55YLHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：184nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11353pF@27V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0260N1007L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8545pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@27A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R0-55YLHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：184nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11353pF@27V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19505KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7920pF@40V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ100E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14780pF@25V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5060pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：6952，"MI+"：970}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0300N1007L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8295pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@26A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：6952，"MI+"：970}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0300N1007L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8295pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@26A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19536KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19505KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7920pF@40V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19505KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7920pF@40V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19505KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7920pF@40V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5060pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19505KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7920pF@40V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19506KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12200pF@40V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R7-40YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：194W
阈值电压：2.05V@1mA
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7966pF@20V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18536KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11430pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18535KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6620pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：20，"21+"：14503，"22+"：481913，"23+"：54239}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUA200N04S5N010AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：3.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@25V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19535KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7930pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ402E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13500pF@20V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ100E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14780pF@25V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ100E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14780pF@25V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R7-40YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：194W
阈值电压：2.05V@1mA
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7966pF@20V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R7-40YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：194W
阈值电压：2.05V@1mA
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7966pF@20V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
