品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC076N04NDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.3W€65W
阈值电压:4V@30µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.6mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5866A-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W€68.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1574pF@25V
连续漏极电流:7A€40A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:17mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C650NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€125W
阈值电压:2.2V@98µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2546pF@25V
连续漏极电流:21A€111A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFN8459TR
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:3.9V@50µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.9mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C680NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€19W
阈值电压:2.2V@13µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:7.5A€26A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:28mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB00EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:3.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ910EL-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2832pF@50V
连续漏极电流:70A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:8.6mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K5R6-30EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:64W
阈值电压:2.1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2480pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.8mΩ@10A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S4L08AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:54W
阈值电压:2.2V@22µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3050pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:8.2mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ914EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:12mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM150NB04DCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1135pF@20V
连续漏极电流:9A€39A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS944ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27.8W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:615pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25mΩ@1.25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C466NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€40W
阈值电压:2.2V@30µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:997pF@25V
连续漏极电流:14A€52A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.4mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL8DN10LF3
工作温度:-55℃~175℃
功率:70W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:35mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ960EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:34W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:735pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:36mΩ@5.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ990EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1390pF@25V€650pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ968EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:714pF@30V
连续漏极电流:23.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:33.6mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C462NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€50W
阈值电压:3.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@25V
连续漏极电流:17.6A€70A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.4mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":35000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC155N06NDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@20µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@30V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15.5mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC155N06NDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@20µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@30V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15.5mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD5C674NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€37W
阈值电压:2.2V@25µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:11A€42A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL15DN4F5
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9mΩ@7.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S4L11ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.2V@28µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4020pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.2mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S4L26AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:33W
阈值电压:2.2V@10µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1430pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:26mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S2L35ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2V@27µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:35mΩ@15A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ9945BEY-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:4W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:64mΩ@3.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S4L11ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.2V@28µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4020pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.2mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S4L08ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:54W
阈值电压:2.2V@22µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3050pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:8.2mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1922AEEH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:850mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:300mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC072N04LDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.2V@30µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3990pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.2mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: