采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS7540TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：3.7V@100µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4555pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@65A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB130N6F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS7540TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：3.7V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4555pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@65A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86250-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@75V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF3710ZSTRL
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：59A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：477，"MI+"：1600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8870
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@15V
连续漏极电流：23A€160A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3710ZSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：59A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8870
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@15V
连续漏极电流：23A€160A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2400}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3710ZSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：59A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3710ZSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：59A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS7540TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：3.7V@100µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4555pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@65A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R0-25YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：71.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5308pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.89mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS7540TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：3.7V@100µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4555pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@65A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS7540TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：3.7V@100µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4555pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@65A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF3710ZSTRL
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：59A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3710ZSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：59A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86250-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@75V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF3710ZSTRL
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：59A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3710ZSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：59A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3710ZSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：59A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3710ZSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：59A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS7540TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：3.7V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4555pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@65A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB088N08
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6595pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@75A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS7540TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：3.7V@100µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4555pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@65A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB088N08
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6595pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@75A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3710ZSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：59A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86250-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@75V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB130N6F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB130N6F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：477，"MI+"：1600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8870
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@15V
连续漏极电流：23A€160A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
