品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLZ44ZSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:36nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1620pF@25V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@31A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD18P06PGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@25V
连续漏极电流:18.6A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@13.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":438,"16+":54000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6212-40C,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:11.2mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD35NF06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@17.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":2865}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ44ZSTRRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1420pF@25V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:13.9mΩ@31A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD35NF06LT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:33nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@17.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD18P06PGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@25V
连续漏极电流:18.6A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@13.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":2865}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ44ZSTRRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1420pF@25V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:13.9mΩ@31A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":438,"16+":54000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6212-40C,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:11.2mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD18P06PGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@25V
连续漏极电流:18.6A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@13.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M43-100EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:20.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2309pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:43mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1456,"22+":2471,"MI+":709}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2525pF@15V
连续漏极电流:17A€94A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD35NF06LT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:33nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@17.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD18P06PGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@25V
连续漏极电流:18.6A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@13.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M43-100EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:20.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2309pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:43mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD35NF06LT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:33nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@17.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M43-100EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:20.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2309pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:43mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M43-100EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2309pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:43mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD35NF06LT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:33nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@17.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1195}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8896
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2525pF@15V
连续漏极电流:19A€93A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD35NF06LT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:33nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@17.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD18P06PGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@25V
连续漏极电流:18.6A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@13.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M43-100EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:20.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2309pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:43mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M43-100EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:20.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2309pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:43mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD18P06PGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@25V
连续漏极电流:18.6A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@13.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M43-100EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2309pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:43mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M43-100EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2309pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:43mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD35NF06LT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:33nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@17.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ44ZSTRRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1420pF@25V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:13.9mΩ@31A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD18P06PGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@25V
连续漏极电流:18.6A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@13.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: