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    行业应用: 汽车
    包装方式: 卷带(TR)
    工作温度: -55℃~175℃
    功率: 1.5W
    当前匹配商品:200+
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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H010SPS-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H010SPS-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H010SPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:56.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4468pF@50V

    连续漏极电流:11.8A€123A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1539EH-T1_GE3 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1539EH-T1_GE3 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1539EH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:48pF@15V€50pF@15V

    连续漏极电流:850mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1922AEEH-T1_GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1922AEEH-T1_GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1922AEEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@10V

    连续漏极电流:850mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:300mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6022SSDQ-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6022SSDQ-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6022SSDQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2127pF@25V

    连续漏极电流:7.1A€22.6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:27mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1922AEEH-T1_GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1922AEEH-T1_GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1922AEEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@10V

    连续漏极电流:850mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:300mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1539EH-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1539EH-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1539EH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:48pF@15V€50pF@15V

    连续漏极电流:850mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1563AEH-T1_GE3 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1563AEH-T1_GE3 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1563AEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:89pF@10V€84pF@10V

    连续漏极电流:850mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6022SSD-13 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6022SSD-13 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6022SSD-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2127pF@25V

    连续漏极电流:7.1A€22.6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:27mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4013SPSQ-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4013SPSQ-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4013SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4763pF@20V

    连续漏极电流:69A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1563AEH-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1563AEH-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1563AEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:89pF@10V€84pF@10V

    连续漏极电流:850mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6021SPDQ-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6021SPDQ-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6021SPDQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1143pF@25V

    连续漏极电流:8.2A€32A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6042SPS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6042SPS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6042SPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:584pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@5.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4013SPSQ-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4013SPSQ-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4013SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4763pF@20V

    连续漏极电流:69A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1563AEH-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1563AEH-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1563AEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:89pF@10V€84pF@10V

    连续漏极电流:850mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1922AEEH-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1922AEEH-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1922AEEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@10V

    连续漏极电流:850mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:300mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6022SSDQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6022SSDQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6022SSDQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2127pF@25V

    连续漏极电流:7.1A€22.6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:27mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6022SSD-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6022SSD-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6022SSD-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2127pF@25V

    连续漏极电流:7.1A€22.6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:27mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6022SSDQ-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6022SSDQ-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6022SSDQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2127pF@25V

    连续漏极电流:7.1A€22.6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:27mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1539EH-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1539EH-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1539EH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:48pF@15V€50pF@15V

    连续漏极电流:850mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6022SSDQ-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6022SSDQ-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6022SSDQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2127pF@25V

    连续漏极电流:7.1A€22.6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:27mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1539EH-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1539EH-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1539EH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:48pF@15V€50pF@15V

    连续漏极电流:850mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H010SPS-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H010SPS-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H010SPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:56.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4468pF@50V

    连续漏极电流:11.8A€123A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1912EH-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1912EH-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1912EH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:75pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:280mΩ@1.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1563AEH-T1_GE3 起订250个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1563AEH-T1_GE3 起订250个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1563AEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:89pF@10V€84pF@10V

    连续漏极电流:850mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1539EH-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1539EH-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1539EH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:48pF@15V€50pF@15V

    连续漏极电流:850mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6021SPDQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6021SPDQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6021SPDQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1143pF@25V

    连续漏极电流:8.2A€32A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1539EH-T1_GE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1539EH-T1_GE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1539EH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:48pF@15V€50pF@15V

    连续漏极电流:850mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6022SSDQ-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6022SSDQ-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6022SSDQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2127pF@25V

    连续漏极电流:7.1A€22.6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:27mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6021SPDQ-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6021SPDQ-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6021SPDQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1143pF@25V

    连续漏极电流:8.2A€32A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6021SPDQ-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6021SPDQ-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6021SPDQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1143pF@25V

    连续漏极电流:8.2A€32A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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