采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0260N1007L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8545pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@27A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IST006N04NM6AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8800pF@20V
连续漏极电流：58A€475A
类型：N沟道
导通电阻：0.6mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IST006N04NM6AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8800pF@20V
连续漏极电流：58A€475A
类型：N沟道
导通电阻：0.6mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：6952，"MI+"：970}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0300N1007L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8295pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@26A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：6952，"MI+"：970}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0300N1007L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8295pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@26A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IST006N04NM6AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8800pF@20V
连续漏极电流：58A€475A
类型：N沟道
导通电阻：0.6mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IST006N04NM6AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
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栅极电荷：178nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8800pF@20V
连续漏极电流：58A€475A
类型：N沟道
导通电阻：0.6mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IST006N04NM6AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8800pF@20V
连续漏极电流：58A€475A
类型：N沟道
导通电阻：0.6mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IST006N04NM6AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：178nC@10V
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连续漏极电流：58A€475A
类型：N沟道
导通电阻：0.6mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IST006N04NM6AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：178nC@10V
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输入电容：8800pF@20V
连续漏极电流：58A€475A
类型：N沟道
导通电阻：0.6mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0190N807L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：249nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19110pF@40V
连续漏极电流：270A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@34A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0170N607L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：243nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19250pF@30V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@39A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0190N807L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：249nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19110pF@40V
连续漏极电流：270A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@34A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0190N807L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：249nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19110pF@40V
连续漏极电流：270A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@34A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0170N607L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：243nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19250pF@30V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@39A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IST006N04NM6AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8800pF@20V
连续漏极电流：58A€475A
类型：N沟道
导通电阻：0.6mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0260N1007L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8545pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@27A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1450，"22+"：800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0260N1007L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8545pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@27A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1450，"22+"：800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0260N1007L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8545pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@27A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IST006N04NM6AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8800pF@20V
连续漏极电流：58A€475A
类型：N沟道
导通电阻：0.6mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0170N607L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：243nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19250pF@30V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@39A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0260N1007L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8545pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@27A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0170N607L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：243nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19250pF@30V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@39A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0260N1007L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8545pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@27A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0170N607L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：243nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19250pF@30V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@39A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0260N1007L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8545pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@27A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IST006N04NM6AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：3.3V@250µA
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8800pF@20V
连续漏极电流：58A€475A
类型：N沟道
导通电阻：0.6mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0300N1007L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8295pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@26A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IST006N04NM6AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8800pF@20V
连续漏极电流：58A€475A
类型：N沟道
导通电阻：0.6mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：35}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0260N1007L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8545pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@27A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
